فی توو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی توو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

دانلود گزارش کارآموزی در شرکت الکترونیکی هوشیار الکترونیک (تولید کننده دستگاه های الکترونیکی)

اختصاصی از فی توو دانلود گزارش کارآموزی در شرکت الکترونیکی هوشیار الکترونیک (تولید کننده دستگاه های الکترونیکی) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود گزارش کارآموزی در شرکت الکترونیکی هوشیار الکترونیک (تولید کننده دستگاه های الکترونیکی)


دانلود گزارش کارآموزی در شرکت الکترونیکی هوشیار الکترونیک (تولید کننده دستگاه های الکترونیکی)

 

 

 

 

 

 

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل: Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه :94

 

فهرست مطالب :

عنوان                                                                                                                                        صفحه

فصل اول: آشنایی کلی با مکان کارآموزی

معرفی شرکت دانش هوشیار الکترونیک......................................................................... 2

فصل دوم: ارزیابی بخشهای مرتبط با رشته علمی کارآموز

تولید کنندگان، بخش طراحی و ساخت، بخش تعمیرات و نگهداری.......................................... 4

نتیجه گیری.............................................................................................................. 4

پیشنهاد برای بهبود کار در صنعت الکترونیک.................................................................... 5

فصل سوم

مقدمه : آشنایی با ساخت پیوند p-n........................................................................................

ساختمان کریستالی نیمه هادی.............................................................................................. 10

ترانزیستورها......................................................................................................................... 13

 ترانزیستور دوقطبی پیوندی.................................................................................................... 15

 ترانزیستور اثر میدان پیوندی(JFET)...................................................................................... 15

 ترانزیستور اثر میدان MOS...............................................................................................

ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی – فت.......................................................... 19

شکل و پایه های ترانزیستورها......................................................................................... 20

آشنایی با آی سی های سری 7400...................................................... 29

  1. TTL..........................................................................29
  2. CMOS........................................................................ 31

خازن.................................................................................................... 32

خازنهای قطب دار ................................................................................................................. 34

خازن های تانتالیوم....................................................................................................35

 خازنهای بدون قطب ................................................................................................................... 36

 کد رنگی خازن ها ................................................................................................................... 37

 خازن های متغیر ................................................................................................................. 39

خازن های تریمر ............................................................................................................... 39

سنسورها.................................................................................... 40

حسگرهای مافوق صوت.............................................................................................................. 42

حسگرهای تماسی .......................................................................................................... 44

حسگرهای هم جواری ...................................................................................................... 44

حسگرهای دور برد .................................................................................................................. 45

حسگر................................................................................................................. 46

آشنائی با LCD....................................................................................

رله ها.............................................................................................................. 53

منابع تغذیه.......................................................................................... 55

منطق دیجیتال................................................................. 57

سیستم های دیجیتال................................................................................................ 60

مدارهای ترتیبی................................................................................................... 64

حافظه های الکترونیکی............................................................................................................ 67

کار با مولتی متر........................................................................................................ 70

کار با اسیلوسکوپ.................................................................................................... 74

فصل چهارم: چند آی سی پر کار برد

آی سی 555............................................................................................................... 83

 آی سی موتور درایور ال 298................................................................................... 84

   

فصل اول :

 آشنایی کلی با مکان کارآموزی

شرکت دانش هوشیارالکترونیک یکی از معتبرترین شرکت های الکترونیکی در استان بوشهر می باشد این شرکت در بافت قدیمی و در بازار این بافت قرار دارد. (خیابان امام خمینی)

این شرکت فعالیت های خود را از 1378 آغاز کرده و در تفکر کلی مدیریتی این شرکت همیشه هدف گذاری و رشد پی در پی این شرکت مورد توجه بوده که با تلاش پیگیر یا مدیریت صحیح به این مهم دست یافته و افق روشن و امیدوارکننده ای در مقابل این شرکت دیده می شود.

فصل دوم:

ارزیابی بخش های مرتبط با رشته علمی کارآموز

به طور عمده سه بخش مرتبط به قرار زیر می باشند:

  • تولید کنندگان قطعات الکتریکی و تولید کننده گان دستگاه های الکترونیکی که تولیدات آنها در این شرکت در معرض فروش قرار می گیرد.
  • بخش طراحی و ساخت دستگاه های الکترونیکی که در این شرکت توسط مهندسان مجرب کار طراحی و ساخت پروژه ها برای ارگانها، شرکت هاو افراد شخصی صورت می گرفت.
  • بخش تعمیرات و پشتیبانی دستگاه های تولیدی و همچنین تولیدات دیگر شرکت ها که در این شرکت در معرض عرضه قرار می گرفت.

نتیجه گیری

امروزه با توسعه صنایع در کشور،فرصت های شغلی زیادی برای مهندسین برق فراهم شده است و اگر می بینیم که با این وجودبعضی از فارغ التحصیلان این رشته بی کار هستند و به دلیل این است که این افراد یا فقط در تهران دنبال کار می گردند یا در دوران تحصیل به جای یادگیری عمیق دروس و در نتیجه کسب توانایی های لازم تنها واحد های درسی خود را گذرانده اند.

همچنین یک مهندس خوب باید کارآفرین باشد یعنی به دنبال استخدام در مؤسسه یا وزارت خانه ای نباشد بلکه به یاری آگاهی خود، نیازهای فنی و صنعتی کشور را یافته و باطراحی سیستم ها ومدارهای خاص این نیاز را بر طرف سازد. کاری که بعضی از فارغ التحصیلان ما انجام داده و خوش بختانه موفق نیز بودند.

اگر یک فارغ التحصیل برق دارای توانایی های لازم باشد، با مشکل بی کاری روبرو نخواهد شد. در حقیقت امروزه مشکل اصلی این است که بیشتر فارغ التحصیلان توانمند و با استعداد این رشته به خاغرج از کشور مهاجرت می کنند و ما اکنون با کمبود نیروهای کار آمد در این رشته روبرو هستیم.

یکی از اساتید مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران نیز در مورد فرصت شغلی فارغ التحصیلان این رشته می گوید: طبق نظر کارشناسان و متخصصان انرژی در کشور با توجه به نیاز فزاینده به انرژی در جهان کنونی و همچنین نرخ رشد انرژی الکتریکی در کشور نیاز به فارغ التحصیلان این رشته بیش از قبل مورد احتیاج است.

*** متن کامل را می توانید بعد از پرداخت آنلاین ، آنی دانلود نمائید، چون فقط تکه هایی از متن به صورت نمونه در این صفحه درج شده است ***


دانلود با لینک مستقیم


دانلود گزارش کارآموزی در شرکت الکترونیکی هوشیار الکترونیک (تولید کننده دستگاه های الکترونیکی)

پاورپوینت وفایل WORD مدار ضرب کننده در نرم افزار پروتیوس

اختصاصی از فی توو پاورپوینت وفایل WORD مدار ضرب کننده در نرم افزار پروتیوس دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت وفایل WORD مدار ضرب کننده در نرم افزار پروتیوس


پاورپوینت وفایل WORD مدار ضرب کننده در نرم افزار پروتیوس

در یک پاورپوینت مدار ضرب کننده با آی سی در نرم افزار پروتیوس شبیه سازی شده است . ضمناً علاوه بر فایل پاورپوینت فایل WORD این پروژه نیز تحویل داده می شود . به علاوه فایل نرم افزاری این پروژه نیز در اختیار شما قرار می گیرد . تعداد اسلاید پاورپوینت 7 اسلاید می باشد .


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت وفایل WORD مدار ضرب کننده در نرم افزار پروتیوس

تحقیق اکسایش کننده ها و عملکرد آنها

اختصاصی از فی توو تحقیق اکسایش کننده ها و عملکرد آنها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق اکسایش کننده ها و عملکرد آنها


تحقیق اکسایش کننده ها و عملکرد آنها

فایل : word

قابل ویرایش و آماده چاپ

تعداد صفحه :34

1-1- پتاسیم پر منگنات بعنوان اکسنده  در شیمی آلی  :] 1   [                                    

   بیش از یک قرن است که پتاسیم پر منگنات بعنوان عامل اکسنده انعطاف پذیر و قـــوی در  شرایط اسیدی ،قلیایی ، و خنثی بکار گرقته می شود. یون چهار وجهی پر منگنات با پیونــد Πگسترده در شرایط خنثی و کمی قلیایی پایدار است.اما در حضور یون هیدروکسید و شرایط     شدیـدا" قلیایی به منگنز V   (هیپومنگنات) یا منگنز VI  (منگنات)  تسهیم نامتناسب پیــدا  میکند.]3و2[ 

 

در شرایطPH بالا بعضی اوقات تشخیص اینکه اکسایش از طریق فرایند های  تک الکترون یا دو الــکترون پیش میرود ، مشکل است

      سدیم و پتاسیم پرمنگنات تــــوسط اکســایش الکترولیتیکی  در مقیاس زیاد تولید میشوند پرمنگنات در محـــلولهای قلیایی ناپایدار بوده و به آرامی تجزیه میشود امـا سرعت تجزیه شدن آن در شرایط اسیدی قابل مشاهده است در محلول های خنثی یا کمی قلیایی و در تاریکی تجزیه پر منگنات بسیار آهسته می باشد.اما این تجزیه توسط نور کاتالیز می شود. بنابراین محلول های پرمنگنات باید در شیشه های تیره نگهداری شود. در محلولهای قلیایی پرمنگنات بعنوان یک عامل اکسنده قوی عمل میکند.

در شرایط بازی قوی و در حضور مقادیر اضافی از یون پرمنگنات Mn تولید می شود.(E=+0.56v)

  در محلولهای اسیدی ,پرمنگنات توسط مقادیر اضافی از یک عامل کاهنده به  کاهش می یابد.(E=+1.51v)      


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق اکسایش کننده ها و عملکرد آنها

پاورپوینت بسیار کامل و مناسب آموزش کنترل کننده های PLC و برنامه نویسی آن ها در 112 اسلاید

اختصاصی از فی توو پاورپوینت بسیار کامل و مناسب آموزش کنترل کننده های PLC و برنامه نویسی آن ها در 112 اسلاید دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پاورپوینت بسیار کامل و مناسب آموزش کنترل کننده های PLC و برنامه نویسی آن ها در 112 اسلاید


پاورپوینت بسیار کامل و مناسب آموزش کنترل کننده های PLC و برنامه نویسی آن ها در 112 اسلاید

 

 

 

 

پی‌ال‌سی (به انگلیسی: Programmable Logic Controller) یا کنترل‌گر منطقی برنامه‌پذیر رایانه کنترل‌گر تک منظوره‌ای است که به دلیل ویژگی‌های خاصش بیشتر برای کنترل فرایندهای مکانیکی یا صنعتی مانند خطوط تولید استفاده می‌شود.

مفهوم PLC

PLC یا کنترل‌گر منطقی برنامه‌پذیر: به زبان ساده PLC دستگاهی ست با قابلیت برنامه ریزی از نوع منطقی که میتوان داده هایی را به عنوان ورودی به دستگاه تغذیه کنید ، روی آنها پردازش انجام دهید و در نهایت خروجی هایی را کنترل کرد یا نمایش داد.

  1. برنامه پذیر است. یعنی رایانه است. اما یک رایانهٔ ویژه برای منظوری ویژه
  2. PLC ست. یعنی با دانستن اصول ساده و پایهٔ منطق که پیش‌نیازی هم ندارد، می‌توان اساس کار آن را درک و تحلیل کرد.
  3. PLC کنترل‌گر است. مانند مدار فرمان الکتریکی.
  4. PLC منطقی ست. برخلاف مدار فرمان الکتریکی.

مزیت PLC نسبت به رایانه

PLC برخلاف یک رایانهٔ عادی غیر صنعتی:

مزیت PLC نسبت به مدار فرمان

PLC جایگزین مناسب مدار فرمان الکتریکی ست. اما چون منطقی ست، بهتر است.

کنترل منطقی از کنترلی ست که در آن صدور فرمانها نیازمند برآورده شدن تعدادی توابع و خواست‌های منطقی باشد

ساختار

ساختار PLC مشابه ساختار رایانه‌است. شامل:

  1. پردازنده و حافظهٔ نیمه‌هادی
قسمت پردازنده دارای ارتباطاتی با قسمت‌های مختلف داخل و خارج خود می‌باشد.
حافظهٔ را توضیح خواهیم داد
  1. ماژل‌های I/O
  2. منبع تغذیه

در PLCهای کوچک همهٔ موارد (پردازنده، I/O، منبع تغذیه در یک واحد و در PLCهای بزرگتر هر یک در واحدی مجزّا جای داده شده‌اند.

حافظهٔ PLC دو نوع است:

  • ROM یا حافظهٔ دائم (Read only memory)تراشه‌ایست خاص؛ حاوی برنامه‌ای که:
    • توسط کارخانه سازنده تعبیه شده‌است.
    • وظیفه‌ای مشابه سیستم‌عامل DOS در رایانه‌های شخصی دارد
    • در حین عملیات CPU نمی‌تواند تغییر یابد یا پاک شود. حتّی به هنگام فطع تغذیه CPU
  • RAM یا حافظهٔ موقّت (Random Access memory) تراشه‌ایست نیمه‌هادی که می‌توان در آن برنامه نوشت.
    • ابزار برنامه نویسی، که معمولاً یک واحد پردازنده با صفحه نمایش و صفحه کلید می‌باشد (بعنوان مثال یک کامپیوتر شخصی، یک PLC در خانواده زیمنس) به‌عنوان یک واحد مجزا از طریق سیم به واحد اصلی متصل است.
    • برنامه در این حافظه ذخیره می‌شود
    • امکان برنامه‌ریزی، تغییر و پاک کردن آنها توسط برنامه‌ریز وجود دارد.
    • حافظهٔ موقّت می‌تواند از نوعی غیر از RAM انتخاب شود.
      • اطلاعات موجود در حافظه‌های RAM با قطع تغذیه، پاک می‌گردند.
      • اغلب CPUها مجهز به یک باتری پشتیبان هستند؛ بنابراین اگر تغذیه ورودی فطع شود و درپی‌آن منبع تغذیه نتواند ولتاژ سیستم را تامین کند، باتریِ پشتیبان، برنامهٔ ذخیره شده در RAM را حفظ می‌کند.

 

فهرست مطالب:

مقدمه

کاربرد در صنایع مختلف

سازندگان مطرح PLC

مراحل انجام پروژه در PLC

موارد لازم برای انجام پروژه

سخت افزار PLC

Rack

ماژول تغذیه

ماژول CPU

حافظه

انواع حافظه

ماژول ورودی

انواع ورودی

ماژول خروجی

انواع خروجی

کارت ارتباطی

ماژول واسط

ماژول های تابع

ساختمان داخلی PLC

بیت حافظه،تایمرها و شمارنده ها

ثبات ها

انباره ها

نحوه کار PLC

وضعیت های کاری در PLC های S7

شروع کار با SIMATIC MANAGER

ایجاد پروژه به صورت دستی

شروع کار با HW Config

شروع پیکربندی سخت افزار

تنظیمات کارت AI

تنظیمات پارامترهای AO

تنظیم پارامترهای CPU

و...

 


دانلود با لینک مستقیم


پاورپوینت بسیار کامل و مناسب آموزش کنترل کننده های PLC و برنامه نویسی آن ها در 112 اسلاید

دانلود تحقیق طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

اختصاصی از فی توو دانلود تحقیق طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود تحقیق طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF


دانلود تحقیق طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

 

تعداد صفحات : 94 صفحه         -        

قالب بندی :  word               

 

 

 

   طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF

 

طراحی تقویت کننده در RF بطور چشمگیری با روشهای مداری فرکانس پایین مرسوم فرق دارد و در نتیجه به بررسی و ملاحظه ویژه ای نیاز دارد . علی الخصوص این واقعیت  که موجهای ولتاژ و جریان روی عنصر فعال تاثیر می گذارد ، تطبیق مناسبی جهت کاهش  VSWRو جلوگیری از نوسانات (تغییرات ) نامطلوب را ایجاب می نماید . به این دلیل معمولاً اولین قدم برای طراحی این پروسه یک تحلیل پایداری می باشد که به همراه دوایر عدد نویز و بهره جزء اساسی مورد نیاز برای بهبود مدارهای تقویت کننده ای است که اغلب با مقادیر بهره ، بهره هموار ، توان خروجی ، پهنای باند و شرایط با یاس مواجه می شود .

این فصل براساس مطالب گفته شده در فصلهای 2 و3 توسعه یافته است بطوریکه روابط توان خطوط انتقال خروجی برسی شده است .

بر هر حال بر خلاف مدار پسیو ، فصل 9 به ادوات اکتیو می پردازد بطوریکه به نظر می آید بررسی دقیق بهره و فیدبک دارای اهمیت اصلی باشد .

مواردی از قبیل بهره توان یک طرفه و دو طرفه مدار و نمایش گرافیکی آنها در نمودار اسمیت ، نقطه شروعی برای آنالیز گسترده عملکرد تقویت کننده ترانزیستوری فرکانس بالا می باشد .

خواننده باید به انعطاف پذیری نمودار اسمیت توجه کنید . که دایره بهره ثابت ، VSWRو پایداری میتوانند براساس ضرایب انعکاس و امپدانس بحث شده در فصل 3 روی آن قرار بگیرد .

بعلاوه حتی آنالیز یک نویز هم با تبدیل عدد نویز یک تقویت کننده به دوایری که در نمودار اسمیت نشان داده       می شود؛ قابل برسی است.

بعد از توجه به ابزار اساسی طراحی ، همچنین فصل 9 مدلهای مختلفی از تقویت کننده های توان  و مشخصه های آنها از قبیل بهره هموار ؛ پهنای باند و اعوجاج درونی را به خوبی اختلافات بین تقویت کننده های یک و چند طبقه بررسی می کند .

 

 

 

  1. 9 مشخصه های تقویت کننده ها

شاید مهمترین و پیچیده ترین عمل در تئوری مدار آنالوگ ، تقویت یک سیگنال ورودی از میان یک مدار ترانزیستوری یک یا چند طبقه است . یک نمای کلی تقویت کننده یک یا چند طبقه که بین شبکه های تطبیق ورودی و خروجی قرار گرفته شده در شکل 9-1 نشان داده شده است .

   

 

 

 

شکل (9-1) سیستم کلی تقویت کننده

شبکه های تطبیق ورودی و خروجی که در فصل 8 بحث شده اند نیازمند کاهش انعکاسهای نامطلوب بودند و در نتیجه نیاز به بهبود انتشار توان داشتند .

در شکل 9-1 تقویت کننده توسط ماتریس S خودش در یک نقطه با یاس DC ویژه رسم شده است. بر حسب عملکرد ویژه ، لیست زیر از یک سری پارامترهای کلیدی  تقویت کننده تشکیل شده است.

  • بهره و اندازه بهره (برحسب dB )
  • فرکانس کاری و عرض باند (برحسب Hz)
  • توان خروجی (برحسب dBm)
  • شرایط انعکاس ورودی و خروجی (VSWR)
  • عدد نویز (برحسب dB)

بعلاوه باید اینطور در نظر گرفته شود که چنین پارامترهایی بعنوان اعوجاج درونی؛ تولید هارمونیک ، فیدبک و اثرات گرمایی می کند که همه آنها می تواند در عملکرد تقویت کننده تاثیر بگذارد .

برای طراحی پروسه تقویت کننده به صورت سازمان یافته ، ابتدا نیاز به چند تعریف برای روابط مختلف توان داریم . این کار توسط چندین ابزار انالیزی مهم که نیازمند تعاریفی برای پایداری ، نویز؛ بهره و عملکرد VSWR هستند انجام می گیرد .

وجه مشترک همه چهار مورد بالا این است که آنها می توانند توسط معادلات دایره بیان شوند و در نمودار اسمیت به نمایش در آیند .

 

 

2ـ9   روابط توان تقویت کننده

9-2-1   منبع RF

چندین تعریف برای بهره توان وجود دارد که همه آنها برای درک چگونگی عملکرد تقویت کننده RF ، بحرانی هستند بدین دلیل به ما اجازه دهید تا شکل (9-1) را براساس روابط ناشی از توان بررسی کنیم .

با فرض اینکه دو شبکه تطمیق در امپدانس منبع و بار وجود دارد . سیستم به صورت شکل (9-2-a) خلاصه می شود . نقطه شروع برای آنالیز توان ، منبع RF متصل به شبکه تقویت کننده است .

برای قرار داد نشان داده شده در شکل (2ـ9) بحث مطرح شده سیگنال در بخش 5.4.4   را (82.4 و 83.4  را ببنید) باز خوانی می کنیم و برای ولتاژ منبع می نویسیم :

(1ـ9)                          

   

 

 

 

        a)  شماتیک مختصر شده یک تقویت کننده یک طبقه              b ) گراف جریان سیگنال

                         شکل (2ـ9) منبع و بار متصل به یک شبکه تقویت کننده یک طبقه

موج توان تابشی در رابطه با  توسط :

 (2ـ9)                                          

داده شده است که توان تابشی بسوی تقویت کننده است .

توان ورودی واقعی Pin دیده شده در ترمینال ورودی تقویت کننده از امواج توان تابشی و انعکاسی تشکیل شده است ، که با کمک ضریب انعکاس ورودی  می توانیم  بنویسیم :

(3ـ9)                  

حداکثر انتقال توان از منبع به تقویت کننده زمانی حاصل می گردد که امپدانس ورودی بصورت مزدوج مختلط تطبیق شده باشند .  یا برحسب ضریب انعکاسی ،  باشد .

تحت شرایط ماکزیمم انتقال توان ما توان قابل دسترسی PA را تعریف می کنیم :

(4ـ9)       

این عبارت وابستگی به  را روشن می سازد . اگر Fin و  از (2ـ9) و (4 ـ 9) دیده می شود که  

2-2-9   بهره توان انتقالی

اکنون می توانیم بهره توان انتقالی   را بررسی کنیم که بهره تقویت کننده ای که بین منبع و بار قرار دارد را تعیین می کند .

 

 =          توان تحویلی به بار            =

توان قابل دسترسی از منبع

 

یا با   بدست می آوریم :

(5 .9)                            

در این عبارت باید نسبت  ، تعیین گردد . با کمک مطالب بحث شده در بخش d .4 .4 و بر اساس شکل (2ـ9) بدست می آوریم :      

 (a6 ـ.9)                      

(b6 ـ 9)                     

و نسبت مورد نیاز در نهایت بصورت زیر بدست می آید .

(7ـ 9)                        

 

 

با جایگذاری (7 .9) در (5 .9) نتیجه می شود :

(8ـ9)                         

که با تعریف فوق ضرایب انعکاسی وردی و خروجی می تواند به شکل تازه ای در آید ( شکل 2ـ9 را ببینید )

(a 9 ـ 9)                     

(b 9ـ 9)                       

با این دو تعریف ، دو عبارت برای بهره توان انتقالی بدست خواهد آمد :

ابتدا با ادغام کردن  (a9 .9) در (8 . 9) دیده می شود که :

(10 ـ9)                              

ثانیاً با استفاده از (b 9 . 9) در (8 .9) عبارت زیر نتیجه می شود :

(11ـ9)                             

یک تقریب بکار رفته شده برای بهره توان انتقالی؛ بهره توان یک طرفه ut G می باشد که از اثر فیدبک تقویت کننده  صرفنظر می شود .

که فرم (11. 9) بصورت زیر ساده می شود .

(12ـ9)                              

همانطور که در بخش (1. 4 .9) بحث شده بود معادله (12 . 9) اغلب بعنوان پایه ای برای بهبود تقریب طراحی ها برای یک تقویت کننده و شبکه های تطبیق  متصل شده به ورودی و خروجی آن استفاده می گردد  .

 

(3 .2. 9) سایر روابط توان

بهره توان انتقالی اساسی ترین عبارتی است که سایر روابط مهم توان از آن نتیجه گرفته می شوند .

بعنوان مثال بهره توان قابل دسترسی برای بار طرف تطبیق  بصورت زیر تعریف می گردد :

توان قابل دسترسی از تقویت کننده  =

                               توان قابل دسترسی از منبع

و با استفاده از (11-9) خواهیم داشت :

(13 ـ9)              

پیش از این ، بهره توان ( بهره توان عملکردی ) بعنوان نسبت توان تحویلی به بار به توان گرفته شده از تقویت کننده تعریف شده بود .

        توان تحویلی به بار        = G

                                   توان گرفته شده از تقویت کننده

 

با ترکیب (3 .9) ، ( 4 .9) و ( 10 . 9) ، بدست می آوریم : 

(14ـ9)                    

جالب است که توجه کنید (14 .9) می تواند توسط قرار دادن   از زمانیکه  می شود بدست  می آید .

مثال زیر برای محاسبه تعدادی از این عبارت برای یک تقویت کننده با پارامترهای S داده شده آورده شده است .

 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود تحقیق طراحی تقویت کننده ترانزیستوری RF