تحقیق درباره بررسی تاریخچه ماشین و تغییرات بوجود آمده در آن

اختصاصی از فی توو تحقیق درباره بررسی تاریخچه ماشین و تغییرات بوجود آمده در آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

 تعداد صفحه9

بخشی از فهرست مطالب

تاریخچه

ساختمان خودروها

طرز کار خودرو

خودرو (همچنین اتومبیل یا ماشین) به وسیله نقلیه چرخداری گفته می‌شود که موتور خود را حمل می‌کند.

خودرو به وسایلی اتلاق می‌گردد که بدون ارتباط با وسیله دیگر و به کمک نیروی ماشینی خود، قادر به حرکت باشد.

دانلود مقاله شناخت جرم یا انحرافات و علل بوجود آورنده آن

اختصاصی از فی توو دانلود مقاله شناخت جرم یا انحرافات و علل بوجود آورنده آن دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تعداد صفحات : 42 صفحه     -     

قالب بندی :  word      

مقدمه

هیچ مجرمی از مادر خود مجرم و تبهکار زاده نشده است، همه انسانها، فطرتی پاک خلق شده و پس از تولد در دوران اولیه زندگی، پاک و معصومند و این تا زمانی است که توسط شرایط خاص محیط خانوادگی، اجتماعی و پرورش به گناه آلوده نشوند  زیرا چگونگی رفتار و شخصیت افراد بیشتر به چگونگی محیط اجتماعی و اقتصادی و تربیتی آنها بستگی دارد، بنابراین توجه به این واقعیت ضروری بنظر می رسد که جرم و جنایت یا بعبارت بهتر بیماریهای اجتماعی مانند بیمارییهای جسمی مسری هستند و اگر قبل از ایجاد انگیزه وقوع جرم بفکر اصلاح و از بین بردن علل ارتکاب جرم نیافتند ممکن است به دیگران نیز سرایت کند که عواقب سنگین و غیر قابل جبرانی در پی دارد بصورتی که: بر اثر ازدیاد جرم وجنایت قدرت کنترل در جامعه هر روز ضعیف تر و بالطبع بر مقدار مجرمین افزوده می گردد.

در تمامی اعصار و قرون جامعه انسانی مواجه با دردها و آسیب های ناشی از کجرویها انحرافات، جرام و جنایات بوده که در هر عصری شکل خاصی پیدا کرده و نوع برخورد با آن هم گوناگون بوده است. در عصر ما بدلایلی چون گسترش فقر و محرومیت، جنگ، عدم توجه به جنبه معنوی انسان، ستی و تزلزل ارکان اخلاقی، سقوط خانواده، تکامل ماشینیسم گسترش مکاتب مادی و الحادی. پوچ گرائیها و لذت طلبی ها و بالاخره عدم توان کنترل زمامداران توسعه بیشتری یافته است.

دورنمای آینده از دید بسیاری از جامعه شناسان، بسیار تیره است و به نظر آنها امیدی به اصلاح اوضاع نیست مگر اینکه تحولی ناشی از روشنگریها و ارشادات سازنده در جامعه رخ دهد وجود چنین اندیه هایی، صاحبنظران را به تلاش و تکاپو وا داشته است که در سایه بررسیهای علمی، ریشه و انگیزه های اینگونه دردها را کشف کرده و راههایی برای پیشگیری و درمان ارائه کنند.

اصل اینست که در جامعه انحرافی پدید نیاید تا نیاز به درمان و اصلاح و احیانا گسیختگیری و زندان نباشد و در حیات اجتماعی باید عملی صورت گیرد که انحراف و آسیبی پدید نیاید و در صورت پدید آمدن،‌ مزمن نگردد که در آنصورت امکان ریشه کن کردن آن بسادگی مسیر نخواهد شد. گاهی هسته اولیه انحرافی در جامعه گذارده شده و مسئولان با نظر بی اهمیتی به آن می نگرند ولی در اندک زمانی شیوع و گسترش یافته و جامعه را دچار آسیب و بحران می کند که این مسئله در رابطه با جوانان بیشتر قابل توجه است زیرا که نیروها می گردانند. چرخ اجتماعند و عوارض به آسانی در آنان رخنه کرده و گسترش می یابد.

در نظام حیات اجتماعی،‌ اسلام در هر حال پیشگیری از وقوع انحراف و جرم را مقدم بر اصلاح می داند و بر مسئولیت نظارت افراد را در رابطه با هم تاکید دارد. (امر به معروف و نهی از منکر)

بودجه هائی که در هر جامعه ای صرف نگهداری،‌نگهبانی،‌ تغذیه،‌ بهداشت،‌ پوشاک و… مجرمین در زندانها و ندامتگاه ها و مراکز بازپروری می شود اگر از ابتدا صرف آموزش و تربیت صحیح آنها شود، جامعه را از حیث وجود افراد مجرم و منحرف خالی و از افراد کارساز و نیروی انسانی مقصص بی نیاز می سازد پس می توان گفت افراد مجرم زندانها از ناآگاهترین مردم هستند که از امکان آموزش و خصوصا پرورش و تربیت صحیح محروم بوده اند.

هر مدرسه ای که گشوده شود زندانی بسته می شود.

بسمه تعالی

در مورد شناخت جرم یا انحرافات و علل بوجود آورنده آن و همچنین راههای پیشگیری و یا درمان آن نظرات و دیدگاه های مختلفی از سوی صاحبنظران و کارشناسان مطرح گردیده اما بدلیل آنکه عوامل اجتماعی انحرافات،‌ترکیب و پیچیدگی های زیادی دارند نمی توان آنها را تنها از یک دیدگاه بررسی کرد بلکه می بایست بصورت عمقی مورد توجه و بررسی قرار داده و سعی کرد علل گوناگونی که باعث ارتکاب اینگونه اعمال می شوند را مورد تجزیه و تحلیل قرار داده و راه حلی درست برای جلوگیری از تکرار آنها ارائه نمود.

جرم و جنایت و انحرافات مانند سایر بیماریها نسبی بوده و تابع زمان و مکان است مثلا سقط جنین در برخی جوامع جرم است درصورتی که در کشوری مانند هند نه تنها جرم نبوده بلکه به آنها جایزه هم می دهند و یا ازاله بکارت پس از سن بلوغ قانونی در جوامع غربی در عصر حاضر جرم محسوب نمی شود در صورتی که یک قرن پیش در آن جوامع جرم بوده است.

چگونه توانستم نظم و انضباط را در مراسم صبحگاه مدرسه بوجود آورم

اختصاصی از فی توو چگونه توانستم نظم و انضباط را در مراسم صبحگاه مدرسه بوجود آورم دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تعداد صفحات 19

چشم بینداز و نظاره کن ؛ آیا هیچ گونه ناهماهنگى مى بینى ؟ دوباره چشم بیفکن ..."

توصیف  وضعیت موجود و بیان مسئله :

درقرآن کریم ، به گونه اى صریح ، به موضوع نظم اشاره نشده است ، اما آیاتبسیارى هست که جلوه نظم و انضباط در زندگانى انسان را مورد توجه قرار داده وبر آن پاى فشرده است

گردآوری اطلاعات( شواهد) نوع اول

جستن از مشورت و مصاحبه با همکاران و سایر همکاران پرورشی که ازتجربیات بیشتری برخوردار بودند

تصمیم گرفتم درباره ی مشکلی که با آن روبرو شده بودم جوابی پیدا کنم لذا با مطالعه و تحقیق و بهره

اطلاعاتی را بدست آورم. در این راستا برای جمع آوری اطلاعات لازم از دو شیوه مشاهده عینی و مصاحبه  استفاده نمودم  البته دراین خصوص  مطالعات فراوانی از قبیل مجلات ، کتاب و اینترنت انجام دادم.

تجزیه وتحلیل وتفسیردادهها :

بعداز مطالعه ی منابع یادشده و بررسی اطلاعات بدست آمده و بحث و تبادل نظر با همکاران و والدین محترم اطلاعات حاصل از این فرایند مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. میزان بسار بالای بی نظمی ونبود یک مراسم صبحگاه فعال و شاداب و علل بی انضباطی در مراسم صبحگاه  تا اندازه ای مشخص و ضرورت انجام یک سری از اقدامات ونکاتی که باید در برقراری نظم در مراسم آغازین مدرسه مورد نظر قرارگیرد

بوجود آمدن ترافیک

اختصاصی از فی توو بوجود آمدن ترافیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

بوجود آمدن(شکل ) ترافیک

ترافیک از هر CPE می تواند بوجود آید. البته از طریق الگوریتمهایی که در جریان هستند و این باعث می‌شود کراپراتور برای قانونمندی خدمات برپایه CPE در ترافیک،نیازهای مشتری و غیره اقدام نماید. میزان Peak در ترافیک برپایه یک روش پیوسته اندازه گیری می شود و در هر CPE روش آن مشخص می گردد. اگر میزان تقاضای CPE از نرخ اختصاص داده به آن بیشتر شود عرضه به تأخیر می افتد بنابراین کنترل مؤثر انتقال داده از CPE صورت می گیرد خدمات مختلف بدین منظور پیشنهاد می گردند اپراتور می تواند داده های مختلف را برای روشهای مختلف آماده کند و بر آن اساس جریان را راه‌اندازی می کند. مشترکین مربوطه به Peak بالاتری احتیاج دارند تا بتوانند بصورت پویا و آماری فرم‌دهی نمایند.
تشخیص داخلی برپایه مدل مرجع کلی
ما از این مدل در تصویر 15-20 استفاده خواهیم نمود در این تصویر نقاط مرجع 1 تا 8 I-V I I I اشاره دارد به تشخیص ویژه و یا عملکردهای ویژه ما هر یک از روشها را در زیر توصیف کرده ایم.

 فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات16

- روش اول: ارتباط مشترک بی سیم.
- روش دوم: واحد داخلی PHY/MAC
- روش سوم: استفاده از رابط رادیویی I F/RF – این رابط یک کابل فیزیکی باردار است که IF را حمل می کند همچنین اطلاعات کنترل دیجیتالی و جریان مستقیم برای ODU را نیز حمل می کند.
- روش چهارم: رابط هوایی RF- این رابط بربالای آنتن RF قرار گرفته است و یک باند فرکانس MMDC دارد (GH2 2690-2500 و GH22162 –2150 ) انرژی منشعب شده از آنتن براساس قوانین و اصول FCC قانونبندی می شود (بخش 21).
توضیحات بالا در مورد رابط های 1 تا 3 سیستمهای CISCO می باشد که با روش خاصی محصول می‌دهند این محصولات بر پایه ایستگاه شبکه داخلی توصیف شده است و از طریق مقایسه چهارم قابل توصیف است اما رابط ها ترکیبات و خدمات CPE جدید و مختلفی دارند.
- روش پنجم: بر پایه ایستگاهRF/I F است این رابط برپایه ایستگاه یک کابل فیزیکی است که فرکانس متوسط (I F) را به جریانئ می اندازد همچنین اطلاعات کنترل دیجیتالی و نیروی جریان مستقیم برای واحد بیرونی (ODU) را نیز تحت کنترل دارد (به جریان می اندازد).
- روش ششم: برپایه ایستگاه داخلی PHY/MAC است این رابطی برای CISCO داخلی است.

دانلود مقاله نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده

اختصاصی از فی توو دانلود مقاله نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده

ماده اولیه:
امروزه همه می دانند که ماده اولیه پردازنده ها همچون دیگر مدارات مجتمع الکترونیکی، سیلیکون است.در واقع سیلیکون همان ماده سازنده شیشه است که از شن استخراج می شود. البته عناصر بسیار دیگری هد در این فرایند به کار برده می شوند و لیکن از نظر درصد وزنی، سهم مجموع این عناصر نسبت به سیلیکون به کار رفته در محصول نهایی بسیار جزئی است.
آلمینیوم یکی از موارد دیگری است که در فرایند تولید پردازنده های مدرن، مس به تدریج جایگزین آلمینیوم می شود. علاوه بر آنکه فلز مس دارای ضریب هدایت الکتریکی بیشتری نسبت به آلمینیوم است،دلیل مهم تری هم برای استفاده از مس در طراحی پردازنده های مدرن امروزی وجود دارد. یکی از بزرگ ترین مسائلی که در طراحی پردازنده ها ی امروزی مطرح است، موضوع نیاز به ساختارهای فیزیکی ظریف تر است. به یاد دارید که اندازه ها در پردازنده های امروزی در حد چند ده نانو متر هستند. پس از آنجایی که با استفاده از فلز مس، می توان اتصالات ظریف تری ایجاد کرد، این فلز جایگزین آلومینوم شده است.

آماده سازی:
فرایندهای تولید قطعات الکترونیکی از یک جهت با بسیاری از فرایندهای تولید دیگر متفاوت است. در فرایندهای تولید قطعات الکترونیک، درجه خلوص مواد اولیه مورد نیاز در حد بسیار بالایی اهمیت بسیار زیادی دارند.
اهمیت این موضوع در حدی است که از اصطلاح electronic grade برای اشاره به درجه خلوص بسیار بالایی مواد استفاده می شود.
به همین دلیل مرحله مهمی به نام آماده سازی در تمامی فرایندهای تولید قطعات الکترونیک وجود دارد. در این مرحله درجه خلوص موارد اولیه به روش های گوناگون و در مراحل متعدد افزایش داده می شود تا در نهایت به مقدار خلوص مورد نظر برسد. درجه خلوص مواد اولیه مورد نیاز در این صنعت به اندازه ای بالاست که توسط واحدهایی مانند ppm به معنی چند اتم نا خالصی در یک میلیون اتم ماده اولیه،بیان می شوند.
آخرین مرحله خالص سازی ماده سیلیکون،به این صورت انجام می شود که یک بلور خالص سیلیکون درون ظرف سیلیکون مذاب خالص شده قرار داده می شود، تا بلور باز هم خالص تری در این ظرف رشد کند ( همان طور که بلورهای نبات در درون محلول اشباع شده به دور یک ریسمان نازک رشد می کنند ) . در واقع به این ترتیب، ماده سیلیکون مورد نیاز به صورت یک شمش تک کریستالی تهیه می شود ( یعنی تمام یک شمش بیست سانتی متری سیلیکون، یک بلور پیوسته و بدون نقض باید باشد!). این روش در صنعت تولید چیپ به روش cz معروف است. تهیه چنین شمس تک بلوری سیلیکون آن قدر اهمیت دارد که یکی از تحقیقات اخیر اینتل و دیگر شرکت های تولید کننده پردازنده، معطوف تولید شمش های سی سانتی متری سیلیکون تک بلوری بوده است. در حالی که خط تولید شمش های بیست سانتی متری سیلیکون هزینه ای معادل 5/1 میلیارد دلار در بر دارد، شرکت های تولید کننده پردازنده ، برای بدست آوردن خط تولید شمش های تک بلوری سیلیکون سی سانتی متری، 5/3 میلیارد دلار هزینه می کنند. موضوع جالب توجه در این مورد ان است که تغییر اندازه شمش های تک بلوری ، تاکنون سریع تر از یک بار در هر ده سال نبوده است. پس از آنکه یک بلور سیلیکونی غول آسا به شکل یک استوانه تهیه گشت، گام بعدی ورقه ورقه بریدن این بلور است. هر ورقه نازک از این سیلیکون، یک ویفر نامیده می شود که اساس ساختار پردازنده ها را تشکیل می دهد. در واقع تمام مدارات یا ترانزیستورهای لازم،بر روی این ویفر تولید می شوند. هر چه این ورقه ها نازک تر باشند،عمل برش بدون آسیب دیدن ویفر مشل تر خواهد شد. از طرف دیگر این موضوع به معنی افزایش تعداد چیپ هایی است که میتوان با یک شمش سیلیکونی تهیه کرد. در هر صورت پس از آنکه ویفرهای سیلیکونی بریده شدند.نوبت به صیقل کاری آنها می رسد. ویفرها آنقدر صیقل داده می شوند که سطوح آنها آیینه ای شود. کوچکترین نقص در این ویفرها موجب عدم کارکرد محصول نهایی خواهد بود. به همین دلیل،یکی دیگر از مراحل بسیار دقیق بازرسی محصول در این مرحله صورت می گیرد. در این گام،علاوه بر نقص های بلوری که ممکن است در فرایند تولید شمش سیلیکون ایجاد شده باشند، نقص های حاصل از فرایند برش کریستال نیز به دقت مورد کنکاش قرار می گیرند.
پس از این مرحله،نوبت به ساخت ترانزیستورها بر روی ویفر سیلیکونی می رسد.
برای این کار لازم است که مقدار بسیار دقیق و مشخصی از ماده دیگری به درون بلور سیلیکون تزریق شود. بدین معنی که بین هر مجموعه اتم سیلیکون در ساختار بلوری دقیقا” یک اتم از ماده دیگر قرار گیرد. در واقع در این مرحله نخستین گام فرایند تولید ماده نیمه هادی محسوب می شود که اساس ساختمان قطعات الکترونیک مانند ترانزیستور را تشکیل می دهد. ترانزیستورهایی که در پردازنده های امروزی به کار گرفته می شوند،توسط تکنولوژی CMOS تولید می شوند.CMOS مخخف عبارتComplementary Metal Oxide Semiconductor است . در اینجا منظور از واژه Complementary آن است که در این تکنولوژی از تعامل نیمه هادی های نوع n و p استفاده می شود.
بدون آنکه بخواهیم وارد جزئیات فنی چگونه تولید ترانزیستور بر روی ویفرهای سیلیکونی بشویم،تنها اشاره می کنیم که در این مرحله، بر اثر تزریق مواد گوناگون و همچنین ایجاد پوشش های فلزی فوق نازک ( در حد ضخامت چند اتم ) در مراحل متعدد، یک ساختار چند لایه ای و ساندویچی بر روی ویفر سیلیکونی اولیه شکل می گیرد. در طول این فرایند ، ویفر ساندویچی سیلیکونی در کوره ای قرار داده می شود تا تحت شرایط کنترل شده و بسیار دقیق ( حتی در اتمسفر مشخص) پخته می شود و لایه ای از sio2 بر روی ویفر ساندویچی تشکیل شود. در جدید ترین فناوری اینتل به تکنولوژی 90 نانو متری معروف است، ضخامت لایه sio2 فقط 5 اتم است! این لایه در مراحل بعدی دروازه یا Gate هر ترانزیستور واقع در چیپ پردازنده خواهد بود که جریان الکتریکی عبوری را در کنترل خود دارد ( ترانزیستورهای تشکیل دهنده تکنولوژی CMOS از نوع ترازیستورهای اثر میدانی field Efect Transistor:FET نامیده می شوند. جریان الکتریکی از اتصالی بنام Source به اتصال دیگری به نام Drain جریان می یابد. وظیفه اتصال سوم به نام Gate در این ترانزیستور، کنترل و مدیریت بر مقدار و چگونگی عبور جریان الکتریکی از یک اتصال به اتصال دیگر است ).
اخرین مرحله آماده سازی ویفر، قرار دادن پوشش ظریف دیگری بر روی ساندویچ سیلیکونی است که photo-resist نام دارد. ویژگی این لایه آخر همان طور که از نام آن مشخص می شود، مقاومت در برابر نور است. در واقع این لایه از مواد شیمیایی ویژه ای ساخته شده است که اگر در معرض تابش نور قرار گرفته شود، می توان آن را در محلول ویژه ای حل کرده و شست و در غیر این صورت ( یعنی اگر نور به این پوشش تابانده نشده باشد)، این پوشش در حلال حل نخواهد شد. فلسفه استفاده از چنین ماده ای را در بخش بعدی مطالعه خواهید کرد.

ماسک کردن:
این مرحله از تولید پردازنده ها، به نوعی از مراحل قبلی کار نیز مهم تر است. در این مرحله عمل فتولیتو گرافی ( photolithography ) بر وروی ویفر ساندویچی انجام می شود. در واقع آنچه در این مرحله انجام می شود آن است که بر روی ویفر سیلیکونی، نقشه و الگوی استنسل مشخصی با استفاده از فرایند فتو لیتو گرافی چاپ می شود، تا بتوان در مرحله بعدی با حل کردن و شستن ناحیه های نور دیده به ساختار مورد نظر رسید ( از آنجایی که قرار است نقشه پیچیده ای بر روی مساحت کوچکی چاپ شود، از روش فتو لیتو گرافی کمک گرفته می شود. در این روش نقشه مورد نظر در مقیاس های بزرگتر – یعنی در اندازه هایی که بتوان در عمل آنرا تولید کرد، مثلا” در مربعی به مساحت یک متر مربع – تهیه می شود.سپس با تاباندن نور به الگو و استفاده از روش های اپتیکی، تصویر الگو را بر روی ناحیه بسیار کوچک ویفر می تاباند. مثلا” الگویی که در مساحت یک متر مربع تهیه شده بود به تصویر کوچکی در اندازه های چند میلیمتر مربع تبدیل می شود!) در این موارد چند نکته جالب توجه وجود دارد. نخست آنکه الگوها و نقشه هایی که باید بر وری ویفر چاپ شوند. آنقدر پیچیده هستند که برای توصیف آنها به 10 گیگابایت داده نیاز است. در واقع می توان این موضوع را به حالتی تشبیه کرد که در آن قرار است نقشه ای مانند یک شهر بزرگ با تمام جزئیات شهری و ساختمانی آن بر روی ویفر سیلیکونی به مساحت چند میلی متر مربع چاپ شود. نکته دیگر آنکه در ساختمان چیپ های پردازنده بیش از بیست لایه مختلف وجود دارد که برای هر یک از آنها لازم است چنین نقشه هایی لیتو گرافی شود. موضوع دیگر بد نیست در اینجا ذکر شود آن است که همانطور که از دروس دبیرستانی ممکن است به یاد داشته باشید. نور در لبه های اجسام دچار انحراف از مسیر راست می شود.
پدیده ای که به پراش یا Diffraction معروف است. هر چه لبه های اجسامی که در مسیر تابش واقع شده اند،کوچکتر یا ظریف تر باشند،پدیده پراش شدیدتر خواهد بود . در واقع یکی از بزرگ ترین موانع تولید پردازنده هایی که در آنها از ساختارهای ظریف تری استفاده شده باشد، همین موضوع پراکندگی یا تفریق نور است که باعث مات شدن تصویری می شود که قرار است بر روی ویفر چاپ شود . برای مقابله با این مسئله، یکی از موثرترین روش ها، آن است که از نوری در عمل فتولیتو گرافی استفاده کنیم که دارا ی طول موج کوچکتری است( بر اساس اصول اپتیک،هر چه طول موج نور تابنده شده کوچک تر باشد، شدت پدیده پراکندگی نور در لبه های اجسام کمتر خواهد بود.) برای همین منظور در تولید پردازنده ها، از نور uv ( ماورای بنفش ) استفاده می شود. در واقع برای آنکه بتوان تصویر شفاف و ظریفی در اندازه ها و مقیاس آنچنانی بر روی ویفرها تولید کرد، تنها طول موج ماورای بنفش جوابگو خواهد بود. اما اگر بخواهیم در نسل بعدی پردازنده ها، از الگوها ی پیچیده تری استفاده کنیم تکلیف چه خواهد بود؟ در تئوری می توان از تابشی با طول موج کوتاه تر به معنی استفاده از نوعی اشعه ایکس است. می دانید که چنین اشعه ای بیشتر از آنکه قادر باشد تصویری از نقشه مورد نظر بر روی ویفر ایجاد کند، به علت قابلیت نفوذ زیاد، از تمامی نواحی الگو به طور یکسان عبور خواهد کرد! از موارد فوق بگذریم،پس از آنکه نقشه مورد نظر بر روی ویفر چاپ شود،ویفر در درون محلول شیمیایی ویژه ای قرار داده می شود تا جاهایی که در معرض تابش واقع شده اند، در آن حل شوند. بدین ترتیب شهر مینیاتوری را بروی ویفر سیلیکونی تجسم کنید که در این شهر خانه ها دارای سقفی از جنس sio2 هستند ( مکان هایی که نور ندیده اند و در نتیجه لایه مقاوم در برابر حلال مانع از حل شدن (sio2 بوده است).خیابان های این شهر فرضی نواحی که مورد تابش نور واقع شده اند و لایه مقاوم آن و همچنین لایه sio2 در حلال حل شده اند ) از جنس سیلیکون هستند.

تکرار:
پس از این مرحله، لایه photo-resist باقی مانده از روی ویفر بر داشته می شود. در این مرحله ویفری در اختیار خواهیم داشت که در آن دیواره ای از جنس sio2 در زمینی از جنس سیلیکون واقع شده اند. پس از این گام، یکبار دیگر یک لایه sio2 به همراه پلی سیلیکون (polysilicon ) بر روی ویفر ایجاد شده و بار دیگر لایه photo-resist جدیدی بر روی ویفر پوشانده می شود.
همانند مراحل قبلی، چندین بار دیگر مراحل تابش نور و در حلال قرار دادن ویفر انجام می شوند. بدین ترتیب پس از دست یافتن به ساختار مناسب،ویفر در معرض بمباران یونی مواد مختلف واقع می شود تا نیمه هادی نوع n و p بر روی نواحی سیلیکونی باقی مانده تشکیل شوند. به این وسیله،مواد مشخصی در مقادیر بسیار کم و دقیق به درون بلور سیلیکون نفوذ داده می شوند تا خواص نیمه هادی نوع n و p به دست آیند. تا اینجای کار، یک لایه کامل از نقشه الکترونیکی ترانزیستوری دو بعدی بر روی ویفر سیلیکونی تشکیل شده است. با تکرار مراحل فوق، عملا” ساختار لایه ای سه بعدی از مدارات الکترونیکی درون پردازنده تشکیل می شود. در بین هر چند لایه، از لایه ای فلزی استفاده می شود که با حک کردن الگوها ی مشخصی بر روی آنها به همان روش های قبلی، لایه های سیم بندی بین المان ها ساخته شوند. پردازنده های امروزی اینتل، مثلا” پردازنده پنتیوم چهار ، از هفت لایه فلزی در ساختار خود بهره می گیرد. پردازنده AMD Athlon 64 از 9 لایه فلزی استفاده می کند.

غربال کردن:
تولید ساندویچ های پیچیده تشکیل شده از لایه های متعدد سیلیکون، فلز و مواد دیگر،فرایندی است که ممکن است روزها و حتی هفته ها به طول انجامد. در تمامی این مراحل ، آزمایش های بسیار دقیقی بر روی ویفر سیلیکونی انجام می شود تا مشخص شود که آیا در هر مرحله عملیات مربوطه به درستی انجام شده اند یا خیر. علاوه بر آن در این آزمایش ها کیفیت ساختار بلوری و بی نقصی ماندن ویفر نیز مرتبا” آزمایش می شود. پس از این مراحل چیپ هایی که نقص داشته باشند، از ویفر بریده می شوند و برای انجام مراحل بسته بندی و نصب پایه ها ی پردازنده ها به بخش ها ی ویژه ا ی هدایت می شوند. این مراحل واپسین هم دارای پیچیدگی ها ی فنی خاصی است. به عنوان مثال پردازنده های امروزی به علت سرعت بسیار بالایی که دارند در حین کار گرم می شود. با توجه به مساحت کوچک ویفر پردازنده ها و ساختمان ظریف آنها، در صورتی که تدابیر ویژه ای برای دفع حرارتی چیپ ها اندیشیده نشود، گرمای حاصل به چیپ ها آسیب خواهد رساند. بدین معنی که تمرکز حرارتی چیپ به حدی است که قبل از جریان یافتن شار حرارتی به رادیاتور خارجی پردازنده، چیپ دچار آسیب خواهد شد. برای حل این مشکل، پردازنده های امروزی در درون خود دارای لایه های توزیع دما هستند تا اولا” تمرکز حرارتی در بخش های کوچک چیپ ایجاد نشود و ثانیا” سرعت انتقال حرارت به سطح چیپ و سپس خنک کننده خارجی، افزایش یابد.
اما چیپ های آزمایش شده باز هم برای تعیین کیفیت و کارایی چندین بار آزمایش می شوند. واقعیت آن است که کیفیت پردازنده ها ی تولید شده حتی در پایان یک خط تولید و د ر یک زمان ، ثابت نیست و پردازنده ها در این مرحله درجه بندی می شوند! ( مثل میوه هایی که در چند درجه از نظر کیفیت طبقه بندی می شوند.) برخی از پردازنده ها در پایان خط تولید واجد خصوصیاتی می شوند که می توانند مثلا” تحت ولتاژ یا فرکانس بالاتری کار کنند. این موضوع یکی از دلایل اصلی تفاوت قیمت پردازنده ها است.
گروه دیگری از پردازنده ها ، دچار نقص در بخش هایی می شوند که همچنان آنها را قابل استفاده نگاه می دارد. به عنوان مثال ، ممکن است برخی از پردازنده ها در ناحیه حافظه نهان ( cache ) دچار نقص باشند. در این مورد، می توان به روش هایی بخش های آسیب دیده را از مدار داخلی پردازنده خارج ساخت. بدین ترتیب پردازنده هایی به دست می ایند که مقدار حافظه نهان کمتری دارند.
بدین ترتیب پردازنده هایی مانند celeron در اینتل و sempron در شرکت AMD ، در خط تولید پردازنده های Full cache این شرکت ها نیز تولید می شوند!

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله 7   صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید