فی توو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی توو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق در مورد بشارتهای انبیای الهی دربارة آمدن رسول خدا 32 ص

اختصاصی از فی توو تحقیق در مورد بشارتهای انبیای الهی دربارة آمدن رسول خدا 32 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 32

 

بشارتهای انبیای الهی دربارة آمدن رسول خدا

از جملة این بشارتها آیة 14 و 15 از کتاب یهودا است که می گوید : « لکن خنوخ « ادریس » که هفتم از آدم بود دربارة همین اشخاص خبر داده گفت اینک خداوند با ده هزار از مقدّسین خود آمد تا بر همه داوری نماید و جمیع بی دینان را ملزم سازد و بر همة کارهای بی دینی که ایشان کردند و بر تمامی سخنان زشت که گناهکاران بی دین به خلاف او گفتند ... » که ده هزار مقدس فقط با رسول خدا ( ص ) تطبیق می کند که در داستان فتح مکه با او بودند . و در فصل چهاردهم انجیل یوحنا : 16 ، 17 ، 25 ، 26 چنین است : « اگر مرا دوست دارید احکام مرا نگاه دارید ، و من از پدر خواهم خواست و او دیگری را که فارقلیط است به شما خواهد داد که همیشه با شما خواهد بود ، خلاصة حقیقتی که جهان آن را نتواند پذیرفت زیرا که آن را نمی بیند و نمی شناسد ، اما شما آن را می شناسید زیرا که با شما می ماند و در شما خواهد بود . اینها را به شما گفتم مادام که با شما بودم ، اما فارقلیط روح مقدس که او را پدر به اسم من می فرستد ، او همه چیز را به شما تعلیم دهد و هر آنچه گفتم به یاد آورد . »بر طبق تحقیق کلمة « فارقلیط » که ترجمة عربی « پریکلیتوس » است به معنای « احمد » است و مترجمین اناجیل از روی عمد یا اشتباه آن را به « تسلی دهنده » ترجمه کرده اند . (1)

تاریخ ولادت

در بسیاری از تواریخ ولادت آن حضرت را در عام الفیل – یعنی همان سالی که ابرهه با پیلان جنگی برای ویران ساختن شهر مکه آمد – نقل کرده اند که تازه سؤال می شود عام الفیل چه سالی بوده ؟ قول قطعی و مسلّمی در این باره ذکر نشده است . و البته مشهور میان علمای شیعه رضوان الله علیهم آن است که آن حضرت در شب جمعه هفدهم ربیع الاول به دنیا آمده است . (1)

شب ولادت

معمولاً مقارن ظهور پیغمبران الهی و ولادت آنها حوادث مهم و شگفت انگیزی اتفاق می افتد که بدانها «ارهاصات » می گویند . از جمله ابن هشام از حسان بن ثابت – شاعر معروف اسلام – نقل می کند که وی گفته : به خدا سوگند من پسری نورس در سنّ هفت یا هشت سالگی بودم و آنچه می شنیدم بخوبی درک


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد بشارتهای انبیای الهی دربارة آمدن رسول خدا 32 ص

پرسشنامه روش های کنار آمدن لازاروس

اختصاصی از فی توو پرسشنامه روش های کنار آمدن لازاروس دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پرسشنامه روش های کنار آمدن لازاروس

برای پاسخ به عبارت های این پرسشنامه، یک موقعیت پر تنش را مجسم کنید. در مورد پر تنش ترین موقعیتی را که در هفته پیش تجربه کرده اید، فکر کنید.

منظور ما از موقعیت پر تنش، موقعیتی است که برای شما دشوار یا آزار دهنده بوده است؛ خواه این که شما از آن چه اتفاق افتاده احساس درماندگی کرده اید، یا تلاش چشمگیری را برای درگیر شدن با آن موقعیت انجام داده اید. این موقعیت می تواند خانواده شما، دوستان یا هر عامل مهم دیگری را در بر گیرد. قبل از پاسخ دادن به این عبارت ها در مورد جزئیات این موقعیت پر تنش، فکر کنید ( مثلا جایی که اتفاق افتاد، فردی که درگیرشد، عمل شما و اهمیت آن برای شما). چه هنوز درگیر این موقعیت باشید و چه قبلا اتفاق افتاده باشد، باید پر تنش ترین موقعیتی باشد که در طی هفته گذشته کاملا تجربه کرده اید. برای پاسخ دادن به هر یک از عبارتها، لطفا این موقعیت پر تنش را در ذهن خود مجسم کنید.

روش نمره گذاری و تفسیر

نمره های نسبی

پایایی (اعتبار و روایی)

منبع:


دانلود با لینک مستقیم


پرسشنامه روش های کنار آمدن لازاروس

تحقیق در مورد خسارت ناشی از مستحق للغیر در آمدن مبیع ( ضمان درک)

اختصاصی از فی توو تحقیق در مورد خسارت ناشی از مستحق للغیر در آمدن مبیع ( ضمان درک) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد خسارت ناشی از مستحق للغیر در آمدن مبیع ( ضمان درک)


تحقیق در مورد خسارت ناشی از مستحق للغیر در آمدن مبیع ( ضمان درک)

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:13

فهرست:

مقدمه

حال باید دید مبنای میزان و یا مصادیق این  خسارت چیست؟

مقداد قلیان

رشد تصاعدی قیمت املاک وکاهش ارزش پول و یا به عبارت دیگر کاهش قدرت خرید  از جمله مسائل جاری در کشور ماست که آثار آن را به وضوع درجامعه می توان دید. خصوصا کسانیکه با تجارت وخرید وفروش سروکاردارند بیشتر از سایر اقشار جامعه عملاً با مشکلات این امر روبرو بوده واغلب مجبورند جهت استحقاق حقوق خود به مراجع قضایی مراجعه نمایند.

یکی ازمسائل بسیار شایع ومشکلات جدی در این رابطه مستحق للغیر در آمدن مبیع و وضعیت حقوق طرفین در این فرض می باشد.که ذیلا به برسی آن در حد وسع و توان می پردازیم:

1-  با توجه ماده ماده۳۶۵ قانون مدنی  بیع فاسد اثری در تملک ندارد.

2-  طبق ماده ماده۳۶۶ قانون مدنی «هر کس به بیع فاسد مالی را قبض کند باید آن را به صاحبش رد نماید». این قاعده ویژه مستحق للغیر در آمدن مبیع نیست و در تمام موارد بطلان عقد جاری است. قانون مدنی بایع را در صورت مستحق للغیر در آمدن مبیع، جزئا یا کلا، ضامن دانسته است گرچه به ضمان تصریح نشده باشد. در نتیجه« بایع باید ثمن مبیع را مسترد کند ودر صورت جهل مشتری به وجود فساد، بایع باید از عهده «غرامات» وارده بر مشتری نیز برآید»(مواد۳۹۰و۳۹۱ قانون مدنی). این احکام در معامله بر مال مغصوب نیز حاکم است و«اگر مشتری جاهل به غصب بوده و مالک به او رجوع نموده باشد او نیز می‌تواند نسبت به ثمن و خسارات» به بایع رجوع کند اگر چه مبیع نزد خود مشتری تلف شده باشد»(ماده۳۲۵ قانون مدنی) و اگر مشتری عالم به غصب باشد« نسبت به مقدار ثمن حق رجوع دارد»(ماده۳۲۶ قانون مدنی(

3-  مراجع قانونی زیادی براساس ماده 365 قانون مدنی چنین معامله ای باطل می دانند و در این خصوص احکام زیادی از مراجع ذیربط صادر شده است که جهت جلوگیری از اطاله کلام از ذکر آنها خودداری می نماییم.

4-  حال در فرض بطلان بیع به علت مستحق للغیر در آمدن مبیع با امعان نظر در موارد قانونی یادشده سه حالت پیش می آید:

الف: هردو عالم به مستحق للغیر بودن مبیع باشند.

ب) هردوجاهل به مستحق للغیر بودن مبیع باشند.

ج) مشتری جاهل به مستحق للغیر بودن مبیع باشد.که این فرض مورد بحث ماست.

5-  در فرض آخر بایع ضامن درک مبیع بوده ومکلف است: اولاً) رد ثمن اعم از این که مشتری عالم یا جاهل به بطلان بیع بوده باشد و ثانیاً) تکلیف بایع به پرداخت غرامات مشتری جاهل به بطلان بیع. به دلیل افزایش تصاعدی قیمت املاک و کاهش ارزش پول، استرداد مثل ثمن.

 و به نظر باید غرامات را که در آثار حقوقی وحتی آراء مراجع قضایی  به معنی همان خسارت می باشد، با توجه به اطلاق کلمه باید شامل کلیه خسارت وارده به مشتری جاهل دانست و تردیدی نیست که محدود کردن مصداقهای مذکور در کتب فقها مانند عوض منافع مستوفات و غیر مستوفات که مالک از مشتری دریافت کرده، موجب تضرر مشتری می شود، زیرا از یک طرف مثل ثمن، قدرت خرید سابق را ندارد و از سوی دیگر مشتری توان خرید معادل مبیع را از دست داده است. در جهت مقابل بایع فضولی از پول مشتری استفاده کرده و به زیان وی دارا شده است و همین امر راه سوء استفاده در معاملات املاک را باز می نماید.

 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد خسارت ناشی از مستحق للغیر در آمدن مبیع ( ضمان درک)

بوجود آمدن ترافیک

اختصاصی از فی توو بوجود آمدن ترافیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

بوجود آمدن ترافیک


بوجود آمدن ترافیک

 

 

 

بوجود آمدن(شکل ) ترافیک

ترافیک از هر CPE می تواند بوجود آید. البته از طریق الگوریتمهایی که در جریان هستند و این باعث می‌شود کراپراتور برای قانونمندی خدمات برپایه CPE در ترافیک،نیازهای مشتری و غیره اقدام نماید. میزان Peak در ترافیک برپایه یک روش پیوسته اندازه گیری می شود و در هر CPE روش آن مشخص می گردد. اگر میزان تقاضای CPE از نرخ اختصاص داده به آن بیشتر شود عرضه به تأخیر می افتد بنابراین کنترل مؤثر انتقال داده از CPE صورت می گیرد خدمات مختلف بدین منظور پیشنهاد می گردند اپراتور می تواند داده های مختلف را برای روشهای مختلف آماده کند و بر آن اساس جریان را راه‌اندازی می کند. مشترکین مربوطه به Peak بالاتری احتیاج دارند تا بتوانند بصورت پویا و آماری فرم‌دهی نمایند.
تشخیص داخلی برپایه مدل مرجع کلی
ما از این مدل در تصویر 15-20 استفاده خواهیم نمود در این تصویر نقاط مرجع 1 تا 8 I-V I I I اشاره دارد به تشخیص ویژه و یا عملکردهای ویژه ما هر یک از روشها را در زیر توصیف کرده ایم.

 

 

 فرمت فایل : word(قابل ویرایش)تعداد صفحات16

 

- روش اول: ارتباط مشترک بی سیم.
- روش دوم: واحد داخلی PHY/MAC
- روش سوم: استفاده از رابط رادیویی I F/RF – این رابط یک کابل فیزیکی باردار است که IF را حمل می کند همچنین اطلاعات کنترل دیجیتالی و جریان مستقیم برای ODU را نیز حمل می کند.
- روش چهارم: رابط هوایی RF- این رابط بربالای آنتن RF قرار گرفته است و یک باند فرکانس MMDC دارد (GH2 2690-2500 و GH22162 –2150 ) انرژی منشعب شده از آنتن براساس قوانین و اصول FCC قانونبندی می شود (بخش 21).
توضیحات بالا در مورد رابط های 1 تا 3 سیستمهای CISCO می باشد که با روش خاصی محصول می‌دهند این محصولات بر پایه ایستگاه شبکه داخلی توصیف شده است و از طریق مقایسه چهارم قابل توصیف است اما رابط ها ترکیبات و خدمات CPE جدید و مختلفی دارند.
- روش پنجم: بر پایه ایستگاهRF/I F است این رابط برپایه ایستگاه یک کابل فیزیکی است که فرکانس متوسط (I F) را به جریانئ می اندازد همچنین اطلاعات کنترل دیجیتالی و نیروی جریان مستقیم برای واحد بیرونی (ODU) را نیز تحت کنترل دارد (به جریان می اندازد).
- روش ششم: برپایه ایستگاه داخلی PHY/MAC است این رابطی برای CISCO داخلی است.


دانلود با لینک مستقیم


بوجود آمدن ترافیک

دانلود مقاله نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده

اختصاصی از فی توو دانلود مقاله نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 

 

 


نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده

 


ماده اولیه:
امروزه همه می دانند که ماده اولیه پردازنده ها همچون دیگر مدارات مجتمع الکترونیکی، سیلیکون است.در واقع سیلیکون همان ماده سازنده شیشه است که از شن استخراج می شود. البته عناصر بسیار دیگری هد در این فرایند به کار برده می شوند و لیکن از نظر درصد وزنی، سهم مجموع این عناصر نسبت به سیلیکون به کار رفته در محصول نهایی بسیار جزئی است.
آلمینیوم یکی از موارد دیگری است که در فرایند تولید پردازنده های مدرن، مس به تدریج جایگزین آلمینیوم می شود. علاوه بر آنکه فلز مس دارای ضریب هدایت الکتریکی بیشتری نسبت به آلمینیوم است،دلیل مهم تری هم برای استفاده از مس در طراحی پردازنده های مدرن امروزی وجود دارد. یکی از بزرگ ترین مسائلی که در طراحی پردازنده ها ی امروزی مطرح است، موضوع نیاز به ساختارهای فیزیکی ظریف تر است. به یاد دارید که اندازه ها در پردازنده های امروزی در حد چند ده نانو متر هستند. پس از آنجایی که با استفاده از فلز مس، می توان اتصالات ظریف تری ایجاد کرد، این فلز جایگزین آلومینوم شده است.

 

آماده سازی:
فرایندهای تولید قطعات الکترونیکی از یک جهت با بسیاری از فرایندهای تولید دیگر متفاوت است. در فرایندهای تولید قطعات الکترونیک، درجه خلوص مواد اولیه مورد نیاز در حد بسیار بالایی اهمیت بسیار زیادی دارند.
اهمیت این موضوع در حدی است که از اصطلاح electronic grade برای اشاره به درجه خلوص بسیار بالایی مواد استفاده می شود.
به همین دلیل مرحله مهمی به نام آماده سازی در تمامی فرایندهای تولید قطعات الکترونیک وجود دارد. در این مرحله درجه خلوص موارد اولیه به روش های گوناگون و در مراحل متعدد افزایش داده می شود تا در نهایت به مقدار خلوص مورد نظر برسد. درجه خلوص مواد اولیه مورد نیاز در این صنعت به اندازه ای بالاست که توسط واحدهایی مانند ppm به معنی چند اتم نا خالصی در یک میلیون اتم ماده اولیه،بیان می شوند.
آخرین مرحله خالص سازی ماده سیلیکون،به این صورت انجام می شود که یک بلور خالص سیلیکون درون ظرف سیلیکون مذاب خالص شده قرار داده می شود، تا بلور باز هم خالص تری در این ظرف رشد کند ( همان طور که بلورهای نبات در درون محلول اشباع شده به دور یک ریسمان نازک رشد می کنند ) . در واقع به این ترتیب، ماده سیلیکون مورد نیاز به صورت یک شمش تک کریستالی تهیه می شود ( یعنی تمام یک شمش بیست سانتی متری سیلیکون، یک بلور پیوسته و بدون نقض باید باشد!). این روش در صنعت تولید چیپ به روش cz معروف است. تهیه چنین شمس تک بلوری سیلیکون آن قدر اهمیت دارد که یکی از تحقیقات اخیر اینتل و دیگر شرکت های تولید کننده پردازنده، معطوف تولید شمش های سی سانتی متری سیلیکون تک بلوری بوده است. در حالی که خط تولید شمش های بیست سانتی متری سیلیکون هزینه ای معادل 5/1 میلیارد دلار در بر دارد، شرکت های تولید کننده پردازنده ، برای بدست آوردن خط تولید شمش های تک بلوری سیلیکون سی سانتی متری، 5/3 میلیارد دلار هزینه می کنند. موضوع جالب توجه در این مورد ان است که تغییر اندازه شمش های تک بلوری ، تاکنون سریع تر از یک بار در هر ده سال نبوده است. پس از آنکه یک بلور سیلیکونی غول آسا به شکل یک استوانه تهیه گشت، گام بعدی ورقه ورقه بریدن این بلور است. هر ورقه نازک از این سیلیکون، یک ویفر نامیده می شود که اساس ساختار پردازنده ها را تشکیل می دهد. در واقع تمام مدارات یا ترانزیستورهای لازم،بر روی این ویفر تولید می شوند. هر چه این ورقه ها نازک تر باشند،عمل برش بدون آسیب دیدن ویفر مشل تر خواهد شد. از طرف دیگر این موضوع به معنی افزایش تعداد چیپ هایی است که میتوان با یک شمش سیلیکونی تهیه کرد. در هر صورت پس از آنکه ویفرهای سیلیکونی بریده شدند.نوبت به صیقل کاری آنها می رسد. ویفرها آنقدر صیقل داده می شوند که سطوح آنها آیینه ای شود. کوچکترین نقص در این ویفرها موجب عدم کارکرد محصول نهایی خواهد بود. به همین دلیل،یکی دیگر از مراحل بسیار دقیق بازرسی محصول در این مرحله صورت می گیرد. در این گام،علاوه بر نقص های بلوری که ممکن است در فرایند تولید شمش سیلیکون ایجاد شده باشند، نقص های حاصل از فرایند برش کریستال نیز به دقت مورد کنکاش قرار می گیرند.
پس از این مرحله،نوبت به ساخت ترانزیستورها بر روی ویفر سیلیکونی می رسد.
برای این کار لازم است که مقدار بسیار دقیق و مشخصی از ماده دیگری به درون بلور سیلیکون تزریق شود. بدین معنی که بین هر مجموعه اتم سیلیکون در ساختار بلوری دقیقا” یک اتم از ماده دیگر قرار گیرد. در واقع در این مرحله نخستین گام فرایند تولید ماده نیمه هادی محسوب می شود که اساس ساختمان قطعات الکترونیک مانند ترانزیستور را تشکیل می دهد. ترانزیستورهایی که در پردازنده های امروزی به کار گرفته می شوند،توسط تکنولوژی CMOS تولید می شوند.CMOS مخخف عبارتComplementary Metal Oxide Semiconductor است . در اینجا منظور از واژه Complementary آن است که در این تکنولوژی از تعامل نیمه هادی های نوع n و p استفاده می شود.
بدون آنکه بخواهیم وارد جزئیات فنی چگونه تولید ترانزیستور بر روی ویفرهای سیلیکونی بشویم،تنها اشاره می کنیم که در این مرحله، بر اثر تزریق مواد گوناگون و همچنین ایجاد پوشش های فلزی فوق نازک ( در حد ضخامت چند اتم ) در مراحل متعدد، یک ساختار چند لایه ای و ساندویچی بر روی ویفر سیلیکونی اولیه شکل می گیرد. در طول این فرایند ، ویفر ساندویچی سیلیکونی در کوره ای قرار داده می شود تا تحت شرایط کنترل شده و بسیار دقیق ( حتی در اتمسفر مشخص) پخته می شود و لایه ای از sio2 بر روی ویفر ساندویچی تشکیل شود. در جدید ترین فناوری اینتل به تکنولوژی 90 نانو متری معروف است، ضخامت لایه sio2 فقط 5 اتم است! این لایه در مراحل بعدی دروازه یا Gate هر ترانزیستور واقع در چیپ پردازنده خواهد بود که جریان الکتریکی عبوری را در کنترل خود دارد ( ترانزیستورهای تشکیل دهنده تکنولوژی CMOS از نوع ترازیستورهای اثر میدانی field Efect Transistor:FET نامیده می شوند. جریان الکتریکی از اتصالی بنام Source به اتصال دیگری به نام Drain جریان می یابد. وظیفه اتصال سوم به نام Gate در این ترانزیستور، کنترل و مدیریت بر مقدار و چگونگی عبور جریان الکتریکی از یک اتصال به اتصال دیگر است ).
اخرین مرحله آماده سازی ویفر، قرار دادن پوشش ظریف دیگری بر روی ساندویچ سیلیکونی است که photo-resist نام دارد. ویژگی این لایه آخر همان طور که از نام آن مشخص می شود، مقاومت در برابر نور است. در واقع این لایه از مواد شیمیایی ویژه ای ساخته شده است که اگر در معرض تابش نور قرار گرفته شود، می توان آن را در محلول ویژه ای حل کرده و شست و در غیر این صورت ( یعنی اگر نور به این پوشش تابانده نشده باشد)، این پوشش در حلال حل نخواهد شد. فلسفه استفاده از چنین ماده ای را در بخش بعدی مطالعه خواهید کرد.

 

ماسک کردن:
این مرحله از تولید پردازنده ها، به نوعی از مراحل قبلی کار نیز مهم تر است. در این مرحله عمل فتولیتو گرافی ( photolithography ) بر وروی ویفر ساندویچی انجام می شود. در واقع آنچه در این مرحله انجام می شود آن است که بر روی ویفر سیلیکونی، نقشه و الگوی استنسل مشخصی با استفاده از فرایند فتو لیتو گرافی چاپ می شود، تا بتوان در مرحله بعدی با حل کردن و شستن ناحیه های نور دیده به ساختار مورد نظر رسید ( از آنجایی که قرار است نقشه پیچیده ای بر روی مساحت کوچکی چاپ شود، از روش فتو لیتو گرافی کمک گرفته می شود. در این روش نقشه مورد نظر در مقیاس های بزرگتر – یعنی در اندازه هایی که بتوان در عمل آنرا تولید کرد، مثلا” در مربعی به مساحت یک متر مربع – تهیه می شود.سپس با تاباندن نور به الگو و استفاده از روش های اپتیکی، تصویر الگو را بر روی ناحیه بسیار کوچک ویفر می تاباند. مثلا” الگویی که در مساحت یک متر مربع تهیه شده بود به تصویر کوچکی در اندازه های چند میلیمتر مربع تبدیل می شود!) در این موارد چند نکته جالب توجه وجود دارد. نخست آنکه الگوها و نقشه هایی که باید بر وری ویفر چاپ شوند. آنقدر پیچیده هستند که برای توصیف آنها به 10 گیگابایت داده نیاز است. در واقع می توان این موضوع را به حالتی تشبیه کرد که در آن قرار است نقشه ای مانند یک شهر بزرگ با تمام جزئیات شهری و ساختمانی آن بر روی ویفر سیلیکونی به مساحت چند میلی متر مربع چاپ شود. نکته دیگر آنکه در ساختمان چیپ های پردازنده بیش از بیست لایه مختلف وجود دارد که برای هر یک از آنها لازم است چنین نقشه هایی لیتو گرافی شود. موضوع دیگر بد نیست در اینجا ذکر شود آن است که همانطور که از دروس دبیرستانی ممکن است به یاد داشته باشید. نور در لبه های اجسام دچار انحراف از مسیر راست می شود.
پدیده ای که به پراش یا Diffraction معروف است. هر چه لبه های اجسامی که در مسیر تابش واقع شده اند،کوچکتر یا ظریف تر باشند،پدیده پراش شدیدتر خواهد بود . در واقع یکی از بزرگ ترین موانع تولید پردازنده هایی که در آنها از ساختارهای ظریف تری استفاده شده باشد، همین موضوع پراکندگی یا تفریق نور است که باعث مات شدن تصویری می شود که قرار است بر روی ویفر چاپ شود . برای مقابله با این مسئله، یکی از موثرترین روش ها، آن است که از نوری در عمل فتولیتو گرافی استفاده کنیم که دارا ی طول موج کوچکتری است( بر اساس اصول اپتیک،هر چه طول موج نور تابنده شده کوچک تر باشد، شدت پدیده پراکندگی نور در لبه های اجسام کمتر خواهد بود.) برای همین منظور در تولید پردازنده ها، از نور uv ( ماورای بنفش ) استفاده می شود. در واقع برای آنکه بتوان تصویر شفاف و ظریفی در اندازه ها و مقیاس آنچنانی بر روی ویفرها تولید کرد، تنها طول موج ماورای بنفش جوابگو خواهد بود. اما اگر بخواهیم در نسل بعدی پردازنده ها، از الگوها ی پیچیده تری استفاده کنیم تکلیف چه خواهد بود؟ در تئوری می توان از تابشی با طول موج کوتاه تر به معنی استفاده از نوعی اشعه ایکس است. می دانید که چنین اشعه ای بیشتر از آنکه قادر باشد تصویری از نقشه مورد نظر بر روی ویفر ایجاد کند، به علت قابلیت نفوذ زیاد، از تمامی نواحی الگو به طور یکسان عبور خواهد کرد! از موارد فوق بگذریم،پس از آنکه نقشه مورد نظر بر روی ویفر چاپ شود،ویفر در درون محلول شیمیایی ویژه ای قرار داده می شود تا جاهایی که در معرض تابش واقع شده اند، در آن حل شوند. بدین ترتیب شهر مینیاتوری را بروی ویفر سیلیکونی تجسم کنید که در این شهر خانه ها دارای سقفی از جنس sio2 هستند ( مکان هایی که نور ندیده اند و در نتیجه لایه مقاوم در برابر حلال مانع از حل شدن (sio2 بوده است).خیابان های این شهر فرضی نواحی که مورد تابش نور واقع شده اند و لایه مقاوم آن و همچنین لایه sio2 در حلال حل شده اند ) از جنس سیلیکون هستند.

 

تکرار:
پس از این مرحله، لایه photo-resist باقی مانده از روی ویفر بر داشته می شود. در این مرحله ویفری در اختیار خواهیم داشت که در آن دیواره ای از جنس sio2 در زمینی از جنس سیلیکون واقع شده اند. پس از این گام، یکبار دیگر یک لایه sio2 به همراه پلی سیلیکون (polysilicon ) بر روی ویفر ایجاد شده و بار دیگر لایه photo-resist جدیدی بر روی ویفر پوشانده می شود.
همانند مراحل قبلی، چندین بار دیگر مراحل تابش نور و در حلال قرار دادن ویفر انجام می شوند. بدین ترتیب پس از دست یافتن به ساختار مناسب،ویفر در معرض بمباران یونی مواد مختلف واقع می شود تا نیمه هادی نوع n و p بر روی نواحی سیلیکونی باقی مانده تشکیل شوند. به این وسیله،مواد مشخصی در مقادیر بسیار کم و دقیق به درون بلور سیلیکون نفوذ داده می شوند تا خواص نیمه هادی نوع n و p به دست آیند. تا اینجای کار، یک لایه کامل از نقشه الکترونیکی ترانزیستوری دو بعدی بر روی ویفر سیلیکونی تشکیل شده است. با تکرار مراحل فوق، عملا” ساختار لایه ای سه بعدی از مدارات الکترونیکی درون پردازنده تشکیل می شود. در بین هر چند لایه، از لایه ای فلزی استفاده می شود که با حک کردن الگوها ی مشخصی بر روی آنها به همان روش های قبلی، لایه های سیم بندی بین المان ها ساخته شوند. پردازنده های امروزی اینتل، مثلا” پردازنده پنتیوم چهار ، از هفت لایه فلزی در ساختار خود بهره می گیرد. پردازنده AMD Athlon 64 از 9 لایه فلزی استفاده می کند.

 

غربال کردن:
تولید ساندویچ های پیچیده تشکیل شده از لایه های متعدد سیلیکون، فلز و مواد دیگر،فرایندی است که ممکن است روزها و حتی هفته ها به طول انجامد. در تمامی این مراحل ، آزمایش های بسیار دقیقی بر روی ویفر سیلیکونی انجام می شود تا مشخص شود که آیا در هر مرحله عملیات مربوطه به درستی انجام شده اند یا خیر. علاوه بر آن در این آزمایش ها کیفیت ساختار بلوری و بی نقصی ماندن ویفر نیز مرتبا” آزمایش می شود. پس از این مراحل چیپ هایی که نقص داشته باشند، از ویفر بریده می شوند و برای انجام مراحل بسته بندی و نصب پایه ها ی پردازنده ها به بخش ها ی ویژه ا ی هدایت می شوند. این مراحل واپسین هم دارای پیچیدگی ها ی فنی خاصی است. به عنوان مثال پردازنده های امروزی به علت سرعت بسیار بالایی که دارند در حین کار گرم می شود. با توجه به مساحت کوچک ویفر پردازنده ها و ساختمان ظریف آنها، در صورتی که تدابیر ویژه ای برای دفع حرارتی چیپ ها اندیشیده نشود، گرمای حاصل به چیپ ها آسیب خواهد رساند. بدین معنی که تمرکز حرارتی چیپ به حدی است که قبل از جریان یافتن شار حرارتی به رادیاتور خارجی پردازنده، چیپ دچار آسیب خواهد شد. برای حل این مشکل، پردازنده های امروزی در درون خود دارای لایه های توزیع دما هستند تا اولا” تمرکز حرارتی در بخش های کوچک چیپ ایجاد نشود و ثانیا” سرعت انتقال حرارت به سطح چیپ و سپس خنک کننده خارجی، افزایش یابد.
اما چیپ های آزمایش شده باز هم برای تعیین کیفیت و کارایی چندین بار آزمایش می شوند. واقعیت آن است که کیفیت پردازنده ها ی تولید شده حتی در پایان یک خط تولید و د ر یک زمان ، ثابت نیست و پردازنده ها در این مرحله درجه بندی می شوند! ( مثل میوه هایی که در چند درجه از نظر کیفیت طبقه بندی می شوند.) برخی از پردازنده ها در پایان خط تولید واجد خصوصیاتی می شوند که می توانند مثلا” تحت ولتاژ یا فرکانس بالاتری کار کنند. این موضوع یکی از دلایل اصلی تفاوت قیمت پردازنده ها است.
گروه دیگری از پردازنده ها ، دچار نقص در بخش هایی می شوند که همچنان آنها را قابل استفاده نگاه می دارد. به عنوان مثال ، ممکن است برخی از پردازنده ها در ناحیه حافظه نهان ( cache ) دچار نقص باشند. در این مورد، می توان به روش هایی بخش های آسیب دیده را از مدار داخلی پردازنده خارج ساخت. بدین ترتیب پردازنده هایی به دست می ایند که مقدار حافظه نهان کمتری دارند.
بدین ترتیب پردازنده هایی مانند celeron در اینتل و sempron در شرکت AMD ، در خط تولید پردازنده های Full cache این شرکت ها نیز تولید می شوند!

 

 

 

 

 

فرمت این مقاله به صورت Word و با قابلیت ویرایش میباشد

تعداد صفحات این مقاله 7   صفحه

پس از پرداخت ، میتوانید مقاله را به صورت انلاین دانلود کنید

 


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله نحوه بوجود آمدن و ساخت پردازنده