پاورپوینت کامل ترانزیستورهای MOSFET و تقویت کننده های ماسفت در 101 اسلاید.

اختصاصی از فی توو پاورپوینت کامل ترانزیستورهای MOSFET و تقویت کننده های ماسفت در 101 اسلاید. دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO₂) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

فهرست مطالب:

مقدمه

نحوه عملکرد

ایجاد کانالی برای عبور جریان

ترانزیستور NMOS

اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس

رابطه جریان و ولتاژ

افزایش ولتاژ Vds

اشباع ترانزیستور

بدست آوردن رابطه جریان و ولتاژ

جریان در ناحیه تریود

جریان در ناحیه اشباع

تکنولوژی زیرمیکرونی

ترانزیستور PMOS

ترانزیستور CMOS

شمای ترانزیستور

عملکرد در ناحیه زیر آستانه

مشخصه Id-Vds

مقاومت کانال

اثر محدود بودن مقاومت خروجی

اثر تغییر طول کانال در مقدار جریان

مقاومت خروجی

مدل ترانزیستور با در نظر گرفتن مقاومت خروجی

اثر بدنه

اثر حرارت

شکست و محافظت از ورودی

مدارات ماسفت در حالت DC

مثالها

استفاده از ترانزیستور ماسفت در مدارات تقویت کننده

مشخصه سیگنال بزرگ

انتخاب نقطه کار مناسب

روشهای مختلف بایاس کردن

مدار سیگنال کوچک

مقدار ترارسانایی

مدار معادل سیگنال کوچک

و...

دانلود تحقیق کامل درمورد ترانزیستورهای power Mosfet

اختصاصی از فی توو دانلود تحقیق کامل درمورد ترانزیستورهای power Mosfet دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 8

ترانزیستورهای power Mosfet

از عصرpmos بیش از15 سال نمی گذرد. امروزه P.mos ها در محدوده ی قدرت وسیعی از چند ده وات تا چند صد کیلو وات تولید می شود.

امروزه طراحان با ترکیب دو تکنولوژی bipolarو mosfet  دسته جدیدی از عناصر الکترونیک به نام MOS-bipoler را به وجود آورده اند که به آن خواهیم پرداخت.

کاربردهای p.mos:

منابع تغذیه بدون وقفه (ups) ،کنترل سرعت موتورهای AC,DC ،کنترل موتورهای پله ای و رله ها در رباتیک، وسایل پزشکی ،کوره های القایی و...

1- ساختمان فیزیکی p.mos

ساختمان فیزیکی p.mos دارای یک فرق اساسی با mosfet معمولی است.در mosfet  معمولی گیت،سورس و کانال همگی تقریباً در یک سطح قرار گرفته اند و ترانزیستور یک ساختار سطحی (planar) دارد.اما در p.mos اجزا fet بصورت عمودی قرار گرفته اند و جریان به طور عمودی از کل حجم سیلیکن می‌گذرد.همچنین مزایایی نظیر استفاده موثر از سیلیکن بکار رفته،به حداقل رساندن سطح تراشه ،امپدانس حرارتی کم و سطح ولتاژ شکست زیاد را در بر دارد.

2- مقایسه خصوصیات p.mosfet  با

1. bipolar

1-طریقه کنترل 

2- سرعت کلید زنی 

3- تحمل جریانهای زیاد لحظه ای

4- ناحیه کار مجاز وسیعتر

5- بازده بیشتر در فرکانسهای بالا

6- تنظیم پارامترها

3- مشخصات power mosfet

VDss:حداکثر ولتاژی است که ترانزیستور می تواند تا قبل از شکست تحمل کند ودر حا لت قطع
باقی بماند.

:VGss حداکثر ولتاژی که عایق ما بین گیت و source در ترانزیستورهای p.mos می تواند تحمل کند واگر بیش از آن اعمال شود باعث آسیب دیدن عایق و اتصال کوتاه شدن گیت وکانال می شود.

ناحیه کارمجاز مستقیم:ناحیه‌ی کار و بایاس ترانزیستورهایp.mos  توسط سه عامل حداکثر جریان(IDm )، ولتاژشکست (VDss)وحداکثر دمای محل اتصال (TJmax) محدود می شود

خازنهای p.mos

سرعت کلید زنیP.mosچند برابربیش ازBJT مشابه است. زیراهدایت توسط حاملهای اکثریت انجام می شود و تنها عامل محدود کننده خازن های مختلف هستند.

به دلیل غیر خطی بودن خازن ها معمولاً اندازه گیری زمان کلید زنی از روی ثابت زمانی پرشدن و خالی شدن آنها مشکل است.بنابراین معمولاً از منابع جریان ثابت جهت آزمایش سرعت کلید استفاده می شود.

در شکل سه خازن عمدهmosfet  همراه با

منحنی تغییرات آنها با  VGs آورده شده است.

این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید

مقاله در مورد سنسورهای دما و ترانزیستورهای حرارتی

اختصاصی از فی توو مقاله در مورد سنسورهای دما و ترانزیستورهای حرارتی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه67

فهرست مطالب

4-1 گرما ودما

4-2 نوار بی متال

4-3 انبساط مایع وگاز

4-4 ترموکوپلها

تئوری

کاربرد عملی

یادداشتها

4-5 سنسورهای مقاومت فلزی (metal-resistance sensors)

دماسنج مقاومتی (Resistance thermometer)

4-6 ترمیستورها

سنسورهای دما  و ترانسیدیو سرهای حرارتی

4-1 گرما ودما

کمیت فیزیکی که ما آن را گرما می نامیم یکی از اشکال مختلف انرژی است و مقدار گرما معمولا برحسب واحد ژول سنجیده میشود.مقدار گرمایی که در یک شی موجوداست قابل اندازه گیری نمی باشد اما می توان تغییرات گرمای موجود در یک شی که بر اثر تغییر دما و یا تغییر در حالت فیزیکی (جامد به مایع، مایع به گازف یک شکل کریستالی به شکل کریستالی دیگر) ایجاد میشود اندازه گیری کرد.

بنابراین از این جنبه دما میزان گرما برای ماده است تاوقتی که حالت فیزیکی آن بدون تغییر باقی بماند.

ارتباط بین دما و انرژی گرمایی بسیار شبیه به ارتباط بین سطح ولتاژ وانرژی الکتریکی است.

سنسورهای دمای رایج تماما وابسته به تغییراتی هستند که همراه با تغییرات دمای ماده به وجود می آید. ترانسیدیوسرهای انرژی الکتریکی به انرژی گرمای جریان عبوری از یک هادی استفاده می کنند اما ترانسدیوسرهای گرمایی به انرژی الکتریکی به طور مستقیم این تبدیل را انجام نمی دهند ومطابق با قوانین ترمودینامیک نیازمند تغییرات دمایی برای عمل کردن هستند بدین گونه که در دمای بالاتر گرما می گیرد و در دمای پایین تر این مقدار گرما را تخلیه می کند.

4-2 نوار بی متال

آشکارسازی حرارتی در موارد متنوعی مانند آشکار کردن آتش سوزی، گرمایش تا یک حد معین ویا تشخیص عیب در یک سردکننده مورد استفاده قرار می گیرد .ساده ترین نوع سنسور حرارتی از نوع بی متال استکه اصول کار آن در شکل به تصویر کشیده شده است. ترکیب فوق شامل دو نوار فلزی از دو جنس مختلف است که با نقطه جوش و یا پرچ کردن در دو نقطه به یکدیگر متصل شده اند. جنس فلز دو نوار به گونه ای انتخاب می شود که ضرایب انبساطی خطی آنها با یکدیگر تفاوت زیادی داشته باشند. مقدار انبساط یا ضریب انبساط خطی عبارت است از خارج قسمت تغییر مقدار طول به تغییر دما و این مقدار برای همه فلزات مقداری است مثبت بدین معنی که با افزایش دما طول نوار افزایش می یابد. مقادیر ضریب انبساط را برای چند نوع فلز بر حسب واحد 10*k بیان کرده است.

خمیدگی پدیده آمده در نوار بی متال را می توان وسط هر یک از انواع ترانسدیوسرهای جابه جایی که در فصل مورد بررسی قرار گرفت تشخیص داد اما اغلب اوقات از خود نوار بی متال برای راه اندازی کنتاکتهای یک کلید استفاده می شود ومعمولا خود بی متال یک از کنتاکتهای کلید است. نوع رایج نوار بی متال هنوز هم در انواعی از تموستاتها مورد استفاده قرار می گیرد اگر چه بی متال در آنها به صورت حلزونی پیچیده شده است.این شکل بی متال باعث افزایش حساسیت بی متال می شود چون حساسیت بی متال با طور نوار بستگی مستقیم دارد. در صورتی که محدوده دما وتغییرات آن کم می باشد مقدار انحراف دقیقتا متناسب با تغییر دما خواهد بود.

این نوع ترموستاتها دارای مشخصه نامطلوب هیسترزیس هستند به طوری که به عنوان مثال ترموستاتی که برای مقدار دمای 20c  ساخته شده ممکن است در 22c باز شود.

شکل  نوار بی متال که تشکیل شده از دو نوار فلزی  که با نقطه جوش و یا میخ پرچ به یکدیگر متصل شده اند. معمولا برای اینکه حساسیت نوار بی متال نس

شبیه سازی مدارهایی متشکل از ترانزیستورهای BJT و MOSFET با نرم افزار HSPICE

اختصاصی از فی توو شبیه سازی مدارهایی متشکل از ترانزیستورهای BJT و MOSFET با نرم افزار HSPICE دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

شبیه سازی 7 مدار که در آن ترانزیستورهای BJT و MOS در آن استفاده شده با فایل .SP و تصویر نمودار خروجی

کلیه فایل های SP. چک شده است