فی توو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

فی توو

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

آمپلی فایر

اختصاصی از فی توو آمپلی فایر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

آمپلی فایر


 آمپلی فایر

آمپلی فایر توضیحات مدار تغذیه سوئیچینگ:همانطور که میدونید برای راه اندازی یه آمپلی فایر پر قدرت تو ماشین باید به روشی v 13باطری رو افزایش بدیم بهترین روش برای این کار یه مدار تغذیه سوئیچینگ کنترل شده با مدولاسیون پهنای پالس هستش که با یک آی سی به شماره SG3525 و یا TL494 که هر دو PWM کنترولر هستن قابل انجام هست. برای اینکه بتونیم حداکثر جریان مورد نیاز رو تامین کنیم هر یک از خروجی های این آی سی بعد از یک طبقه تقویت پوش پول ماس فیت پر قدرتی رو درایو میکنن که ماس فیت ها هم جریان مورد نیاز در اولیه سیم پیچی رو که بعدا توضیح می دهم تامین میکنه. لازم به ذکر هست که من از آی سی SG3525 استفاده کردم و برای هر خروجی آی سی از دو ماس فیت موازی شده استفاده کردم که در صورت نیاز به جریان بیشتر و یا در صورت افزایش حرارت طبقه قدرت می توان تعداد ماس فیت ها رو بیشتر کرد در ضمن ماس فیت هایی که استفاده میکنید باید هر کدام حداقل جریان نامی 30آمپر به بالا داشته باشند و خیلی سریع باشند همچنین دیودهای مورد استفاده در پل دیود هم باید دیودهای اولترافست با جریان 8آمپر باشند. طراحی PCBاین مدار بسیار حساس بوده چرا که جریان بسیار زیادی در حد 20 تا 40 آمپر در حال شارش میباشد. سیم پیچ حلقوی بزرگی که تو عکس میبینید برای توان 300وات طراحی شده دو سیم پیچ ایستاده هم فقط فیلتر ورودی و خروجی هستن فید بک مدار که از خروجی +35و-35 گرفته شده فقط در این محدوده ولتاژ کار میکنه برای اینکه بشه مدار رو تو ولتاژ بیشتر از 35ولت استفاده کرد باید نوعی فید بک کاملا ایزوله استفاده کنیم دارم روی یه نو فید بک با اپتوکوپلر کار میکنم که با دو تا زنر 35ولتی محدود شده .توضیحات سیم پیچ:با توجه به این که فرکانس کاری مدار بالا می باشد این امکان به وجود می آید که از ترانسفورماتور های کوچک با هسته فریت برای این مدار استفاده کرد که البته مشکلات خاص خودش رو هم دارد. برای مثال در این فرکانس اثر مقاومت سطحی سیمها چندین برابر بیشتر میشود. و برای رفع این مشکل می توان از چند رشته سیم لاکدار به جای یک رشته سیم با قطر زیاد استفاده کرد برای مثال اگر از سیم نمره1.4 مسی لاکدار برای اولیه سیم پیچ می خواهیم استفاده کنیم می توانیم از هفت رشته سیم 0.2 استفاده کنیم یا چهر رشته سیم 0.4 . که این کار در واقع عین موازی کردن چندید مقاومت با یکدیگر است و باعث کاهش تلفات می شود. همچنین برای هسته حلقوی سیم پیچ حتما از هسته فریت با کیفیت عالی استفاده کنید تا تلفات به حداقل برسد در صورت رعایت تمامی این نکته ها می توانید تا 80% بازده از این مدار بگیرید. از ماس فیت های زیادی می توانید در این مدار استفاده کنید من خودم از 4 ماس فیت IRFP250 استفاده کرده ام ولی فروشنده به من ماس فیتی با شماره IRF3205 معرفی کرد و اینجا یه مسئله جالبی پیش اومد که اگه کسی بتونه کمک کنه خیلی ممنون میشم جریان نامی IRFP250 سی و سه آمپر هست و ولتاز نامی آن 200ولت هست

تعداد صفحات : 4 صفحه


دانلود با لینک مستقیم


آمپلی فایر

تحقیق در مورد آمپلی فایر

اختصاصی از فی توو تحقیق در مورد آمپلی فایر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق در مورد آمپلی فایر


تحقیق در مورد آمپلی فایر

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه5توضیحات مدار تغذیه سوئیچینگ:
همانطور که میدونید برای راه اندازی یه آمپلی فایر پر قدرت تو ماشین باید به روشی
v 13باطری رو افزایش بدیم بهترین روش برای این کار یه مدار تغذیه سوئیچینگ کنترل شده با مدولاسیون پهنای پالس هستش که با یک آی سی به شماره SG3525 و یا TL494 که هر دو PWM کنترولر هستن قابل انجام هست. برای اینکه بتونیم حداکثر جریان مورد نیاز رو تامین کنیم هر یک از خروجی های این آی سی بعد از یک طبقه تقویت پوش پول ماس فیت پر قدرتی رو درایو میکنن که ماس فیت ها هم جریان مورد نیاز در اولیه سیم پیچی رو که بعدا توضیح می دهم تامین میکنه. لازم به ذکر هست که من از آی سی SG3525 استفاده کردم و برای هر خروجی آی سی از دو ماس فیت موازی شده استفاده کردم که در صورت نیاز به جریان بیشتر و یا در صورت افزایش حرارت طبقه قدرت می توان تعداد ماس فیت ها رو بیشتر کرد در ضمن ماس فیت هایی که استفاده میکنید باید هر کدام حداقل جریان نامی 30آمپر به بالا داشته باشند و خیلی سریع باشند همچنین دیودهای مورد استفاده در پل دیود هم باید دیودهای اولترافست با جریان 8آمپر باشند. طراحی PCBاین مدار بسیار حساس بوده چرا که جریان بسیار زیادی در حد 20 تا 40 آمپر در حال شارش میباشد. سیم پیچ حلقوی بزرگی که تو عکس میبینید برای توان 300وات طراحی شده دو سیم پیچ ایستاده هم فقط فیلتر ورودی و خروجی هستن فید بک مدار که از خروجی +35و-35 گرفته شده فقط در این محدوده ولتاژ کار میکنه برای اینکه بشه مدار رو تو ولتاژ بیشتر از 35ولت استفاده کرد باید نوعی فید بک کاملا ایزوله استفاده کنیم دارم روی یه نو فید بک با اپتوکوپلر کار میکنم که با دو تا زنر 35ولتی محدود شده .
توضیحات سیم پیچ:
با توجه به این که فرکانس کاری مدار بالا می باشد این امکان به وجود می آید که از ترانسفورماتور های کوچک با هسته فریت برای این مدار استفاده کرد که البته مشکلات خاص خودش رو هم دارد. برای مثال در این فرکانس اثر مقاومت سطحی سیمها چندین برابر بیشتر میشود. و برای رفع این مشکل می توان از چند رشته سیم لاکدار به جای یک رشته سیم با قطر زیاد استفاده کرد برای مثال اگر از سیم نمره1.4 مسی لاکدار برای اولیه سیم پیچ می خواهیم استفاده کنیم می توانیم از هفت رشته سیم 0.2 استفاده کنیم یا چهر رشته سیم 0.4 . که این کار در واقع عین موازی کردن چندید مقاومت با یکدیگر است و باعث کاهش تلفات می شود. همچنین برای هسته حلقوی سیم پیچ حتما از هسته فریت با کیفیت عالی استفاده کنید تا تلفات به حداقل برسد در صورت رعایت تمامی این نکته ها می توانید تا 80% بازده از این مدار بگیرید. از ماس فیت های زیادی می توانید در این مدار است


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق در مورد آمپلی فایر

دانلود مقاله آمپلی فایر

اختصاصی از فی توو دانلود مقاله آمپلی فایر دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله آمپلی فایر


دانلود مقاله آمپلی فایر

یک آمپلی فایر قدرت (PA) منولیتیک Si برای سیستم ارتباطات شخصی (PCS)- CDMA قادر به ایجاد توان خروجی 28.2dBm با 30% بازده افزوده توان و 45dB نسبت توان کانال مجاور در 1.9GHz و 3.6V ولتاژ تغذیه برای اولین بار در این مقاله ارائه می شود. PA بکار گرفته شده در یک فرایند 30GHz-Bicmos از یک شمای بایاس قابل کنترل با امپدانس به منظور کنترل کلاس کاری و مقاومت بایاس طبقه خروجی استفاده می کند. برای مقایسه هر دو نتایج و داده های شبیه سازی شده و اندازه گیری شده نشان داده شده اند.

عبارات متن: مدارات مجتمع آنالوگ BiCMOS- دستیابی چندگانه تقسیم کد، آمپلی فایرهای قدرت، آمپلی فایرهای فرکانس رادیویی.


1- مقدمه

تقویت کننده های قدرت رادیویی (RF) منولیتیکی (PAS) برای کاربرد در گوشی موبایل از لحاظ نسبتی در قلمرو تکنولوژیهای GaAs بودند. کوششهائی برای طراحی PAS غیرخطی در هر دو باند فرکانس سلولی (900MHz) و باند فرکانس سیستم ارتباطات شخصی (1.96GHz) با استفاده از تکنولوژیهای Si صورت گرفته است. اخیراً PAS فرکانس زیاد خطی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای دو قطبی اتصال ناهمگن (HCBT) Sge در بالای دو باند بالا شرح داده شده اند.

PA برای کاربردهای دسترسی چندگانه تقسیم کننده کد (CDMA) در باند پایین باید بتواند 28dBm قدرت (توان) خروجی با PAE 30% (بازده افزوده توان) و 44.1dBc نسبت توان کانال مجاور (ACPR) ایجاد کننده در حالیکه CDMA AP در باند بالایی می تواند 30dBm قدرت (توان) خروجی با 41F% PAE و 46dBc- ACPR ایجاد کنند.

بهرحال مورد اخیر هنوز یک راه حل ترکیبی است. بهره RFAS منولیتیک Si از لحاظ هزینه پایین مجتمع سازی با سایر مدارات وسیع و اصلی بر پایه Si دارای مزایائی است. تابحال هیچ گونه Si PCS-CDMA PA منولیتیکی گزارش نشده است.

شمای هدولاسیون سیستم CDMA نیازمند است که PA استفاده شده در گوشی بصورت زیادی خطی باشد و بنابراین طراحی یک PCS-CDMA PA منولیتیکی با کارآئی (بازده) زیاد است.


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله آمپلی فایر