بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

اختصاصی از فی توو بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

مقدمه :

با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزایندهای بالا رفته است. گوردن مور  معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965  نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف میشود . این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده میکند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد . جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو  معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانو لوله های کربنی پرداخته ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانو لوله های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه های نسل آینده را خواهند گرفت

فهرست :

چکیده
مقدمه
فصل ۱- مقدمه ای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرد های آن
۱-۱- مقدمه
۱-۲- گونه های مختلف کربن در طبیعت
۱-۲-۱- کربن بیشکل
۱-۲-۲- الماس
۱-۲-۳- گرافیت
۱-۲-۴- فلورن و نانو لوله های کربنی
۱-۳- ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله ی کربنی
فصل ۲- بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولوله های کربنی
۲-۱- مقدمه
۲-۲- ساختار الکترونی کربن
۲-۲-۱- اربیتال p2 کربن
۲-۲-۲- روش وردشی
۲-۲-۳- هیبریداسون اربیتالهای کربن
۲-۳- ساختار هندسی گرافیت و نانولوله ی کربنی
۲-۳-۱- ساختار هندسی گرافیت
۲-۳-۲- ساختار هندسی نانولوله های کربنی
۲-۴- یاختهی واحد گرافیت و نانولوله ی کربنی
۲-۴-۱- یاختهی واحد صفحهی گرافیت
۲-۴-۲- یاخته واحد نانولولهی کربنی
۲-۵- محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولوله ی کربنی
۲-۵-۱- مولکولهای محدود
۲-۵-۲- ترازهای انرژی گرافیت
۲-۵-۳- ترازهای انرژی نانولوله ی کربنی
۲-۵-۴- چگالی حالات در نانولوله ی کربنی
۲-۶- نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولوله های کربنی
۲-۶-۱- مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحه ی گرافیت
۲-۶-۲- رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولوله های کربنی
فصل ۳- پراکندگی الکترون فونون
۳-۱- مقدمه
۳-۲- تابع توزیع الکترون
۳-۳- محاسبه نرخ پراکندگی کل
۳-۴- شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون
۳-۵- محاسبه جریان و مقاومت نانولوله ی کربنی
۳-۶- ضرورت تعریف روال واگرد
فصل ۴- بحث و نتیجه گیری
۴-۱- مقدمه
۴-۲- نرخ پراکندگی
۴-۳- تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی
۴-۴- بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون
۴-۴-۱- بررسی توزیع سرعت در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
۴-۴-۲- بررسی جریان الکتریکی در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
۴-۴-۳- بررسی مقاومت نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
۴-۴-۴- بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
۴-۵- نتیجه گیری
۴-۶- پیشنهادات
۴-۷- ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد
منابع
Abstract

بررسی تأثیر عمق بر دشت سیلابی در کانال های مرکب با جریان ثانویه

اختصاصی از فی توو بررسی تأثیر عمق بر دشت سیلابی در کانال های مرکب با جریان ثانویه دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

• مقاله با عنوان: بررسی تأثیر عمق بر دشت سیلابی در کانال های مرکب با جریان ثانویه 

• نویسندگان: اسمعیل تیموری ، خسرو حسینی ، محمد سعید کریمی 

• محل انتشار: هشتمین کنگره ملی مهندسی عمران - دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل - 17 و 18 اردیبهشت 93  

• محور: سازه های هیدرولیکی 

• فرمت فایل: PDF و شامل 8 صفحه می باشد.

چکیــــده:

به دلیل خسارات و زیان‌های بیشماری که سیلاب‌ها به انسان‌ها وارد نموده‌اند؛ همواره تأثیر ویژه‌ای در زندگی بشر داشته‌اند. بررسی تأثیر اشکال هندسی در بروز سیلاب بعنوان شریان‌های حیاتی در کانال‌های مرکب از اهمیت بالایی برخوردار است. در این مقاله با بررسی اثر عمق بر دشت سیلاب با اعمال جریان‌های ثانویه (k) به کمک روش ریاضی دو بعدی SKM تخمین توزیع سرعت نسبت به داده‌های تجربی با حداکثر خطای 0.004 درصد مشاهده شده است. با توجه به نزدیکی مدل پیشنهادی به نتایج داده‌های تجربی برآورد خوبی از توزیع عرضی سرعت داشته و نتایج حاکی از آن است؛ که با افزایش عمق در دشت سیلابی قدر مطلق K در سه حوزه به تدریج کاهش پیدا می‌کند. دلیل این امر این است؛ که در زمان افزایش عمق دشت سیلاب توزیع سرعت در مقطع عرضی متجانس‌تر و همگن‌تر خواهد بود و سرعت عرضی (V) در مقایسه با سرعت جریان (U) بسیار کوچک خواهد شد. بنابراین یک ضریب جریان ثانویه کوچکتر دور از انتظار نخواهد بود. نتایج نشان می‌دهد مدل ریاضی ارائه شده برای تخمین ضریب جریان ثانویه در برآورد دبی جریان برای هر عمقی از جریان با استفاده از پروفیل توزیع عرضی سرعت در برآورد منحنی دبی - اشل با خطای نسبی 0.076 درصد نتایج قابل قبولی ارائه داده است.

________________________________

** توجه: خواهشمندیم در صورت هرگونه مشکل در روند خرید و دریافت فایل از طریق بخش پشتیبانی در سایت مشکل خود را گزارش دهید. **

** توجه: در صورت مشکل در باز شدن فایل PDF مقالات نام فایل را به انگلیسی Rename کنید. **

** درخواست مقالات کنفرانس‌ها و همایش‌ها: با ارسال عنوان مقالات درخواستی خود به ایمیل [e-mail] پس از قرار گرفتن مقالات در سایت به راحتی اقدام به خرید و دریافت مقالات مورد نظر خود نمایید. **

پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی

اختصاصی از فی توو پایان نامه بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

 چکیده :

با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده¬ای بالا رفته است. گوردن مور  معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965  نظریه¬ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می¬رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود . این کوچک شدگی نگرانی¬هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می¬کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد . جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه¬ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو  معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله¬های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده¬اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله¬های کربنی پرداخته¬ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله¬های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه¬های نسل آینده را خواهند گرفت

فهرست مطالب :

مقدمه

مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن

مقدمه

گونه های مختلف کربن در طبیعت

کربن بیشکل

الماس

گرافیت

فلورن و نانو لولههای کربنی

ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید  نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنی

بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی

ساختار الکترونی کربن

اربیتال p کربن

روش وردشی

هیبریداسون اربیتالهای کربن

ساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنی

ساختار هندسی گرافیت

ساختار هندسی نانولولههای کربنی

یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی

یاختهی واحد صفحهی گرافیت

یاخته واحد نانولولهی کربنی

محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی

مولکولهای محدود

ترازهای انرژی گرافیت

ترازهای انرژی نانولولهی کربنی

چگالی حالات در نانولولهی کربنی

نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی

مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت

رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی

پراکندگی الکترون فونون

تابع توزیع الکترون

محاسبه نرخ پراکندگی کل

شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون

ضرورت تعریف روال واگرد

بحث و نتیجه گیری

نرخ پراکندگی

تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی

بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون

بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

نتیجه گیری

پیشنهادات

ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد.

منابع

چکیده انگلیسی

نوع فایل : Word

تعداد صفحات : 93 صفحه

دانلود مقاله/تحقیق آماده اثر امواج داخلی بر پایداری زمانی کانال صوتی و انتشار امواج آکوستیکی در دریای عمان با فرمت ورد(word)

اختصاصی از فی توو دانلود مقاله/تحقیق آماده اثر امواج داخلی بر پایداری زمانی کانال صوتی و انتشار امواج آکوستیکی در دریای عمان با فرمت ورد(word) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

چکیده

مقاله­ی حاضر، ابتدا تاثیر امواج داخلی بر سرعت صوت و به ویژه پایداری زمانی کانال صوتی در حوزه تاثیر این امواج را بررسی می­کند. سپس جواب­های معادلات حاکم بر امواج داخلی را به روش تفاضلات متناهی و مبتنی بر ایده­های عددی موجود در روش مدهای نرمال مورد بحث قرار می­دهد. بعد از آن پروفیل سرعت صوت تغییر یافته و چگالی را در روش معادلات سهموی اعمال می­نماید. همچنین شرایط تاثیر امواج داخلی بر نوسان­های سرعت صوت و پایداری زمانی کانال­های صوتی را بررسی می­کند. در نهایت با مقایسه تاثیر این امواج بر انتشار صوت، تغییر رویکرد امواج آکوستیکی را در نمودارهایی با حالت انتشار بدون تاثیر امواج داخلی، به طور همزمان مورد تجزیه و تحلیل قرار داده که نتایج به دست آمده، کارایی روش را تائید می­نماید.

کلمات کلیدی:  امواج داخلی،کانال صوتی، جابجایی قائم امواج داخلی، نوسان سرعت صوت.

سمینار کارشناسی ارشد مهندسی مکانیک مقایسه کانال های متعارف با میکرو کانال ها

اختصاصی از فی توو سمینار کارشناسی ارشد مهندسی مکانیک مقایسه کانال های متعارف با میکرو کانال ها دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود سمینار کارشناسی ارشد مهندسی مکانیک مقایسه کانال های متعارف با میکرو کانال ها با فرمت pdf تعداد صفحات 121

این سمینار جهت ارایه در مقطع کارشناسی ارشد طراحی وتدوین گردیده است وشامل کلیه مباحث مورد نیاز سمینارارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به  فروش می رسد.گروه  تخصصی مااین سمینار  را با  قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهد.حق  مالکیت  معنوی این  اثر مربوط به نگارنده  است وفقط جهت استفاده ازمنابع اطلاعاتی وبالا بردن سطح علمی شما دراین سایت ارایه گردیده است.